3月15日消息,在最近的IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上,三星首次展示了采用3nm工藝制造的256Mb(32MB)容量SRAM存儲芯片。該芯片應(yīng)用了MBCFET技術(shù),寫入電壓僅需0．23V,是三星實現(xiàn)新工藝量產(chǎn)的一次重大進步。

 

據(jù)悉,三星的3nm工藝采用了GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),與上一代7LPP FinFET工藝相比,晶體管密度可以提高80%,性能最高可提升30%,或者降低50%的功耗。

 

三星與臺積電并列為全球兩大芯片代工廠,但是卻總是稍遜臺積電一籌。2015年蘋果iPhone 6S系列大賣,為了提高新品產(chǎn)能,同時使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工,然而臺積電出產(chǎn)的芯片性能穩(wěn)定,三星的芯片卻兩極分化嚴(yán)重,部分芯片性能、發(fā)熱均表現(xiàn)出色,另一些芯片則出現(xiàn)了發(fā)熱翻車的現(xiàn)象。

 

后來蘋果芯片的代工訂單基本都交給了臺積電,三星則與高通簽訂了多年合作協(xié)議。3nm是芯片工藝的全新節(jié)點,比5nm、4nm更為重要,三星早前已經(jīng)開始布局,搶在臺積電之前,展出了成品。

 

根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈曝光的消息,臺積電也在研發(fā)3nm工藝,遺憾的是新工藝仍將采用FinFET立體晶體管技術(shù),號稱與5nm工藝相比,晶體管密度將提高70%,性能可提升11%,或者功耗降低27%。

 

從紙面參數(shù)來看,三星這一次似乎有望實現(xiàn)全面反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況,臺積電則基本確認,客戶會包括蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等,貌似Intel也有意尋求臺積電的先進工藝代工。臺積電預(yù)計將在2nm芯片上應(yīng)用GAAFET技術(shù),要等待三年左右才能面世。

 

這兩家廠商的3nm工藝都將在今年年底試產(chǎn),明年正式量產(chǎn)。三星能否彎道超車,只有等待產(chǎn)品量產(chǎn)之后,經(jīng)過消費者檢驗,我們才能知道。