近日,上海臨港新片區(qū)發(fā)布集成電路產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)規(guī)劃(2021-2025)。規(guī)劃提出,到2025年,推進(jìn)重大項(xiàng)目落地建設(shè),基本形成新片區(qū)集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地的基礎(chǔ)框架;到2025年,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1000億元,芯片制造、裝備材料主導(dǎo)地位進(jìn)一步加強(qiáng),芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試形成規(guī)模化集聚;到2035年,構(gòu)建起高水平產(chǎn)業(yè)生態(tài),成為具有全球影響力的“東方芯港”。
規(guī)劃提出,推進(jìn)6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工藝線建設(shè),面向5G、新能源汽車等應(yīng)用場(chǎng)景,加快化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品驗(yàn)證應(yīng)用。
據(jù)了解,第三代半導(dǎo)體材料主要有四類,包括(1)SiC;(2)III族氮化物(典型代表GaN);(3)寬禁帶氧化物(典型代表ZnO);(4)金剛石。
機(jī)構(gòu)指出,第三代半導(dǎo)體核心難點(diǎn)在材料制備,其他環(huán)節(jié)可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化程度非常高,加持國(guó)家在政策和資金方面大力支持。行業(yè)技術(shù)追趕速度更快、門檻準(zhǔn)入較低、國(guó)產(chǎn)化程度更高,中長(zhǎng)期給國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)、襯底材料供應(yīng)商帶來更多發(fā)展空間確定性更強(qiáng)。
2月26日,工信部電子信息司司長(zhǎng)喬躍山表示,將繼續(xù)加大對(duì)汽車半導(dǎo)體的技術(shù)攻關(guān),推動(dòng)汽車半導(dǎo)體生產(chǎn)線制造能力提升,指導(dǎo)車規(guī)級(jí)驗(yàn)證試用能力建設(shè)。
喬躍山指出,半導(dǎo)體是信息社會(huì)的基石,是汽車行業(yè)電動(dòng)化、聯(lián)網(wǎng)化、智能化升級(jí)的基礎(chǔ)和源動(dòng)力。近年來,在汽車行業(yè)的支持下,國(guó)內(nèi)汽車半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速,但整體來看,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)于汽車產(chǎn)業(yè)的需求,以及對(duì)汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品的開發(fā)和推廣經(jīng)驗(yàn)不足,在車用領(lǐng)域尚未形成系統(tǒng)化的供應(yīng)能力。去年四季度以來,芯片產(chǎn)能供應(yīng)緊缺,更突顯汽車半導(dǎo)體供應(yīng)能力不足的問題。
當(dāng)前汽車芯片十分短缺。華西證券此前預(yù)測(cè),2021Q1全球汽車業(yè)產(chǎn)量可能比原先目標(biāo)減少67.2萬輛,主要原因系芯片短缺,缺芯的影響預(yù)計(jì)將延續(xù)至2021Q3。
東吳證券研報(bào)稱,受限于半導(dǎo)體產(chǎn)能的緊缺,汽車芯片供不應(yīng)求。當(dāng)汽車市場(chǎng)需求快速?gòu)?fù)蘇,并且汽車制造商陸續(xù)開始恢復(fù)生產(chǎn)后,配套芯片在短期內(nèi)供應(yīng)不足,從而導(dǎo)致了當(dāng)前汽車產(chǎn)業(yè)因缺乏芯片而減產(chǎn)的困境。除了MCU、功率半導(dǎo)體等半導(dǎo)體產(chǎn)品,汽車電子還涉及中控、電池管理系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛、鋰電池組和充電組件等應(yīng)用。未來,隨著新能源汽車普及帶動(dòng)的汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展,相關(guān)汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈有望充分受益。半導(dǎo)體領(lǐng)域建議關(guān)注:斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技、比亞迪電子、富瀚微、全志科技、瑞芯微等;中控領(lǐng)域建議關(guān)注:藍(lán)思科技、長(zhǎng)信科技等;車載鏡頭領(lǐng)域建議關(guān)注:韋爾股份、晶方科技、聯(lián)創(chuàng)電子等標(biāo)的。
國(guó)海證券指出,Yole數(shù)據(jù)顯示,2017年全球氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模為3.8億美元,新能源汽車快速增長(zhǎng),電網(wǎng)對(duì)輸電性能要求提高將推動(dòng)氮化鎵功率器件市場(chǎng)快速發(fā)展, 5G基站建設(shè)將大幅度帶動(dòng)氮化鎵功率器件市場(chǎng), Yole 預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到13億美元, 2019年-2023年 CAGR為22.9%。該機(jī)構(gòu)表示,從競(jìng)爭(zhēng)格局來看,以英飛凌、安森美、 羅姆等為代表的歐美日老牌功率大廠具備先發(fā)優(yōu)勢(shì),斯達(dá)半導(dǎo)、華 潤(rùn)微、中車電氣時(shí)代等國(guó)產(chǎn)廠商加碼布局第三代半導(dǎo)體賽道,目前國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈已初具雛形。