以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場高、電子飽和速率高等優(yōu)勢，被廣泛應用到功率半導體器件、日盲紫外探測器、深紫外發(fā)光等電子器件和光電器件領域。而各類半導體器件結構設計和性能指標的提升必須以器件內部半導體物理機制為依托和指導。而半導體器件仿真技術能有效突破器件實驗表象，可視化器件內部最根本的物理機質，加深對半導體器件物理的理解，助力于半導體器件架構的優(yōu)化和制備，是現(xiàn)代先進半導體器件研發(fā)和制備的必備手段。

 

近日，2021功率半導體與車用LED技術創(chuàng)新應用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導體產業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟的指導。

會上，天津賽米卡爾科技有限公司創(chuàng)始人，河北工業(yè)大學張紫輝教授帶來了“半導體仿真技術在第三代半導體器件中的應用”的精彩報告，圍繞深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)、MicroLED、日盲紫外探測器、肖特基功率二極管(SBD)、垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)，詳細闡述半導體器件仿真技術在半導體器件設計和制備過程中的關鍵作用，同時深入探討影響各類半導體器件性能指標的關鍵因素，并提出優(yōu)化設計方案。

 

報告中詳細分享了AlGaN深紫外發(fā)光二極管器件物理與器件仿真、GaN基垂直腔面發(fā)射激光二極管器件物理與仿真、GaN基肖特基功率二極管器件物理與仿真、SiC與GaN日盲紫外探測器器件物理與仿真、MicroLED器件物理與仿真等研究成果與進展。