當(dāng)前，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷一場由碳化硅和氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體引領(lǐng)的技術(shù)革命，以實現(xiàn)更高的功率密度和開關(guān)速率。新能源汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等新應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娏﹄娮悠骷岢隽司薮蟮奶魬?zhàn)。新一代封裝材料與相匹配的解決方案已經(jīng)成為寬禁帶半導(dǎo)體革命成功的關(guān)鍵。

 

近日，2021功率半導(dǎo)體與車用LED技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用論壇在上海舉行。本屆論壇由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦，并得到第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的指導(dǎo)。

會上，德國賀利氏電子中國區(qū)研發(fā)總監(jiān)張靖帶來了“針對碳化硅功率模塊的先進封裝解決方案”的主題報告，詳細分享了一套針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案。

 

當(dāng)前封裝面臨著諸多挑戰(zhàn)，比如每個芯片面積的功率密度增加需要散熱更好的材料，功率越大，包裝材料的載流能力就越強，工作溫度升高會帶來可靠性挑戰(zhàn)等。

 

報告結(jié)合具體實踐分享了針對碳化硅功率器件的完整封裝解決方案，涉及燒結(jié)技術(shù)、焊接與燒結(jié)機制、銀燒結(jié)技術(shù)、專用于碳化硅芯片貼附的專用漿料、不同陶瓷材料的性能、不同襯底工藝的熱循環(huán)性能等。