日前，IBM宣布已制造出世界首個2nm制程芯片。
據(jù)報道，IBM的新型2nm芯片每平方毫米（MTr / mm 2）有約3.33億個晶體管。作為比較，臺積電和三星的7nm制程大約在每平方毫米9,000萬個電晶體左右，三星的5LPE為1.3億個電晶體，而臺積電的5nm則是1.7億個電晶體。
圖片來源：AnandTech
此外，IBM預計，這款2nm架構(gòu)芯片在同樣的電力消耗下，性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能時則減少75%的功耗。
目前量產(chǎn)的制程技術(shù)中，領(lǐng)先的為臺積電的5nm，由蘋果的M1、A14芯片及華為的Kirin 9000采用，其次為三星的5LPE，用在Snapdragon 888芯片上，其后則為被廣泛采用的7nm制程。而在向更先進制程推進上，臺積電的4nm與3nm預計明年量產(chǎn)，而2nm仍處于相對較早的開發(fā)階段。英特爾的7nm制程芯片（英特爾的制程技術(shù)電晶體密度較高，因此約略介于臺積電的5nm與4nm之間）則預計2023年投產(chǎn)。
