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【公司動態(tài)】中環(huán)股份、穩(wěn)懋、聯(lián)華電子、英飛凌、聯(lián)仕新材料、歌爾微電子、新微半導(dǎo)體、豐田、索尼等新動態(tài)

日期:2021-05-10 來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:370
核心提示:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開消息整理:中環(huán)股份、穩(wěn)懋、聯(lián)華電子、聯(lián)仕新材料、歌爾微電子、豐田、索尼等公司近期最新動態(tài)如下(僅供參
 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)根據(jù)公開消息整理:中環(huán)股份、穩(wěn)懋、聯(lián)華電子、英飛凌、聯(lián)仕新材料、歌爾微電子、豐田、索尼、新微半導(dǎo)體等公司近期最新動態(tài)如下(僅供參考):
 
總投資近100億元,中環(huán)股份集成電路用大直徑硅片項目二期啟動
日前,中環(huán)股份發(fā)布消息,為了提升產(chǎn)能和產(chǎn)品覆蓋率,公司已經(jīng)啟動集成電路用大直徑硅片項目二期工程。宜興發(fā)布介紹,中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片二期項目總投資15億美元(約合人民幣96.5億元),第一階段投資53.85億元,利用原有廠房、動力站、特氣站等,新上拋光片和外延片生產(chǎn)線,項目總產(chǎn)能為月產(chǎn)8英寸外延片22萬片、12英寸拋光片20萬片、12英寸外延片15萬片。
 
穩(wěn)懋?dāng)M加碼投資100億元新臺幣在南科建芯片廠
氮化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋5月8日晚間發(fā)布公告稱,為因應(yīng)長期運營成長所需,擬在未來三年投入100億元新臺幣在臺灣地區(qū)南部科學(xué)園區(qū)高雄園區(qū)租地興建廠房,目前設(shè)定3年后量產(chǎn),第一階段將興建包括一棟芯片廠及周邊的辦公空間、廢水處理、機電等相關(guān)廠務(wù)設(shè)施。
 
消息稱聯(lián)華電子計劃從7月起將12英寸晶圓代工報價提高約13%
據(jù)國外媒體報道,由于產(chǎn)能緊張,難以滿足市場需求,多家芯片代工商已經(jīng)或者計劃提高代工報價,其中就包括聯(lián)華電子(UMC)。今年1月初,外媒曾報道稱,由于產(chǎn)能緊張,芯片代工商聯(lián)華電子已經(jīng)提高了12英寸晶圓的代工報價,但該公司并未透露提高的幅度。如今,據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,聯(lián)華電子計劃從7月份起將12英寸晶圓的代工報價提高約13%。
 
聯(lián)華電子成立于1980年,提供先進(jìn)制程技術(shù)與晶圓制造服務(wù),為IC產(chǎn)業(yè)各項主要應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片。目前,該公司旗下有12座晶圓代工廠,其中4座為12英寸晶圓代工廠、7座為8英寸晶圓代工商,還有一座是6英寸晶圓代工廠。
 
去年8月份,產(chǎn)業(yè)鏈人士透露,包括臺積電、聯(lián)華電子在內(nèi)的芯片代工商將8英寸晶圓代工報價提高了10%-20%。今年1月中旬,外媒援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息報道稱,聯(lián)華電子正在提高12英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能,以滿足相關(guān)制程工藝的需求,主要是滿足28nm工藝的產(chǎn)能需求。該公司在今年4月底發(fā)布的財報顯示,第一季度,該公司的晶圓出貨量和平均價格都有所提高。

英飛凌與昭和電工達(dá)成碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議
 
據(jù)日經(jīng)新聞報道,英飛凌與日本材料集團昭和電工(Showa Denko)就碳化硅晶圓供應(yīng)達(dá)成協(xié)議。
 
昭和電工周四表示,公司已與英飛凌簽訂為期兩年的供應(yīng)合同,向后者提供碳化硅晶圓。無論對昭和電工這一世界領(lǐng)先的碳化硅晶圓銷售商來說,還是對英飛凌而言,這一合作協(xié)議的益處都顯而易見。合同中,英飛凌對年度最低購買量作出了承諾,這使得昭和電工能夠?qū)ξ磥硇枨笥懈逦膱D景,從而制定相應(yīng)的投資計劃。而英飛凌也通過確保供應(yīng)量,解決了采購方面可能面臨的問題。
 
此外,兩家公司還將在開發(fā)碳化硅材料上進(jìn)行合作。昭和電工希望,在英飛凌的幫助下,“能通過將兩家公司的知識進(jìn)行融合,加快產(chǎn)品質(zhì)量的提升”。雙方此次合作正值全球功率半導(dǎo)體需求的上升期。有機構(gòu)預(yù)測,到2020年至2025年,功率半導(dǎo)體的市場將增長40%,達(dá)到243億美元。其中,英飛凌已經(jīng)分得最大的一塊蛋糕,在功率器件市場中,英飛凌擁有約20%的全球市場份額,遠(yuǎn)超其日本競爭對手三菱電機和東芝5%的市場份額。
 
對于此次合作,英飛凌工業(yè)電源控制部門總裁Peter Wawer在一份聲明中說:“在這個增長的市場中,與昭和電工擴大晶圓供應(yīng)商基礎(chǔ)標(biāo)志著我們多元化采購戰(zhàn)略的重要一步。” “它將支持我們可靠地滿足中長期內(nèi)市場增加的需求。”
 
投資8億元 聯(lián)仕新材料(湖北)電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)園項目開工
日前,聯(lián)仕新材料(湖北)電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)園開工儀式在荊州開發(fā)區(qū)舉行,標(biāo)志著該項目正式落戶荊州。據(jù)介紹,聯(lián)仕(湖北)新材料有限公司由聯(lián)仕(昆山)化學(xué)材料有限公司全資投資,是少數(shù)全內(nèi)資企業(yè)在中國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的專業(yè)電子化學(xué)品材料生產(chǎn)供貨商,打破國外技術(shù)封鎖,成功開發(fā)高純度氫氟酸、硫酸、磷酸、硝酸系列產(chǎn)品,生產(chǎn)的超高純度電子濕式化學(xué)品,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路、面板、光伏等電子產(chǎn)業(yè),主要服務(wù)客戶為大中華地區(qū)的6-12吋集成電路及內(nèi)存廠商。該企業(yè)可提供純化、精細(xì)混合、潔凈分裝、取樣、檢驗分析等完整的化學(xué)品解決方案,將為荊州電子信息產(chǎn)業(yè)提供基礎(chǔ)材料支撐,未來還能逐步實現(xiàn)系列電子化學(xué)品國產(chǎn)化。
 
該產(chǎn)業(yè)園是聯(lián)仕(湖北)新材料有限公司迄今投資最大的建設(shè)項目。項目工程投資8億元,總用地9萬余平方米,預(yù)計今年10月項目可基本完成主體建設(shè),2022年4月可進(jìn)行試生產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后能實現(xiàn)年產(chǎn)49.2萬噸高純度的電子化學(xué)品。
 
半導(dǎo)體廠商歌爾微電子擬A股IPO
近日,證監(jiān)會網(wǎng)站信息公布,歌爾微電子股份有限公司(以下簡稱“歌爾微電子”)已于2021年4月29日在青島證監(jiān)局進(jìn)行輔導(dǎo)備案登記,輔導(dǎo)機構(gòu)為中信建投證券股份有限公司。至于上市板塊,根據(jù)歌爾股份此前公告,擬將歌爾微電子分拆至深交所創(chuàng)業(yè)板上市。
 
歌爾微電子成立于2017年,是歌爾股份的控股子公司,主要從事MEMS麥克風(fēng)、MEMS傳感器、微系統(tǒng)模組等相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、制造和銷售,產(chǎn)品主要應(yīng)用于智能手機、智能無線耳機、可穿戴產(chǎn)品、汽車電子等領(lǐng)域。根據(jù)公告,歌爾微電子此次引入的投資方或為國有獨資,或為具有投行背景的知名投資機構(gòu)。
 
索尼將使用臺積電6nm工藝PS5芯片,2022 年推出新品
消息稱,臺積電將使用 6nm 制程工藝重新設(shè)計制造新款 PS5 游戲機使用的芯片,新工藝預(yù)計會使得晶體管密度提升約 18%,能更好的控制芯片的功耗與發(fā)熱,同時能夠減少芯片制造成本,從而提高 PS5 的利潤率。
 
豐田高管:半導(dǎo)體采購將于明年恢復(fù)正常 不會對生產(chǎn)造成影響
日經(jīng)中文網(wǎng)5月10日消息,豐田計劃2022年度“豐田”和“雷克薩斯”兩大品牌的全球總產(chǎn)量達(dá)到1040萬輛。豐田已將上述生產(chǎn)計劃知會主要零部件公司。2022年度將比2021年度的現(xiàn)行生產(chǎn)計劃(950萬輛)高出9.5%。從2022年度的具體內(nèi)容來看,海外710萬輛,日本國內(nèi)330萬輛。與2021年度相比,海外增加約10%,日本增加3%。
 
目前半導(dǎo)體不足問題已成為阻礙汽車生產(chǎn)的絆腳石。豐田的一名高管在接受采訪時表示,半導(dǎo)體采購“將于2022年恢復(fù)正常,我們認(rèn)為不會(對生產(chǎn))造成影響”。
 
對豐田2022年度擴大生產(chǎn)起到拉動作用的是中國和美國。在中國,豐田預(yù)定2022年與合資對象企業(yè)廣州汽車集團增強工廠的產(chǎn)能。在美國,豐田將在南部阿拉巴馬州與馬自達(dá)共同啟動新工廠。

上海新微半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體量產(chǎn)線潔凈廠房結(jié)構(gòu)封頂

5月8日上午,上海新微半導(dǎo)體有限公司化合物半導(dǎo)體量產(chǎn)線潔凈廠房結(jié)構(gòu)封頂儀式在閔行開發(fā)區(qū)臨港園區(qū)正式開始。
 
據(jù)了解,項目一期計劃投資15億人民幣,建設(shè)一條4英寸光電芯片和一條6英寸射頻芯片產(chǎn)線,預(yù)計將于2021年四季度建成并投入使用;第二期計劃投資15.5億人民幣,建設(shè)一條8英寸硅基芯片產(chǎn)線以及封裝中試線;第三期擴大再投資50億人民幣,進(jìn)一步提高產(chǎn)品產(chǎn)能并擴大產(chǎn)品范圍。三期總計擬定投入80.5億人民幣,大力發(fā)展化合物半導(dǎo)體。
 
儀式上,上海市科學(xué)技術(shù)委員會高新處處長方浩先生表示,集成電路是上海市政府確定的未來發(fā)展的三大重點產(chǎn)業(yè)之一,而其中,化合物半導(dǎo)體是集成電路產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,其發(fā)展壯大對國民經(jīng)濟、國防安全、國際競爭、社會民生等領(lǐng)域均具有重要的戰(zhàn)略意義。新微半導(dǎo)體于去年1月在上海臨港新片區(qū)完成注冊,公司定位于化合物半導(dǎo)體戰(zhàn)略性材料和器件技術(shù)開發(fā)平臺和量產(chǎn)線,致力于解決化合物半導(dǎo)體材料與器件的前瞻性核心技術(shù),支撐我國化合物半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

國電南瑞預(yù)期IGBT生產(chǎn)線今年下半年投產(chǎn)
 
近日,國電南瑞在投資者互動平臺表示,目前公司正在加快推進(jìn)IGBT生產(chǎn)場地建設(shè)及封裝測試生產(chǎn)設(shè)備采購及安裝等工作,預(yù)期部分生產(chǎn)線在2021年下半年投產(chǎn)。
 
據(jù)了解,IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目是國電南瑞發(fā)展重點之一。2018年國電南瑞已完成1200伏/50安IGBT、FRD流片。2019年11月,國電南瑞與全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司合作,控股組建南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司。當(dāng)時國電南瑞公告稱,其中,國電南瑞以“IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項目”的部分募集資金5.59億元出資,持股比例為69.83%;聯(lián)研院以技術(shù)作價出資2.41億元,持股比例為30.17%。
 
2020年,國電南瑞推進(jìn)南瑞聯(lián)研科技成果轉(zhuǎn)化,加快IGBT封裝測試生產(chǎn)線建設(shè)和自主3300V IGBT芯片模塊研發(fā)及工程應(yīng)用。當(dāng)年9月,國電南瑞在互動平臺表示,公司IGBT項目正處于芯片設(shè)計研發(fā)、模塊封裝測試及生產(chǎn)線建設(shè)階段。
 
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體有限責(zé)任公司是國家電網(wǎng)公司發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)一平臺,擁有功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試、工程應(yīng)用的全流程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化能力。依托南瑞集團和全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院技術(shù)產(chǎn)業(yè)聯(lián)合優(yōu)勢,在電力以及其他領(lǐng)域開展功率半導(dǎo)體器件研發(fā)和制造,提供功率半導(dǎo)體芯片及其應(yīng)用的整體解決方案。
 
南瑞聯(lián)研半導(dǎo)體公司建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售市場、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈,建成了包括功率器件動靜態(tài)參數(shù)測試平臺、可靠性測試平臺和極限能力測試平臺的電力系統(tǒng)電力電子器件實驗室及中試線,擁有國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的高能離子注入機和激光退火設(shè)備,形成了年產(chǎn)15000片硅晶圓和5000只IGBT模塊加工能力。通過上市公司募集16.4億元IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金,投資近2億元建設(shè)IGBT封裝測試生產(chǎn)線,建成后將形成年產(chǎn)20萬片IGBT模塊生產(chǎn)能力,整體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。
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