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中科漢韻SiC功率器件項目通線

日期:2021-05-25 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:487
核心提示:中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米,建設(shè)年產(chǎn)5000片碳化硅功率器件生產(chǎn)線。
 5月24日上午,江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園舉行。項目的正式通線,標(biāo)志著我國企業(yè)突破了碳化硅芯片設(shè)計和工藝制造國產(chǎn)化中的一系列重大“卡脖子”技術(shù),將為徐州市和開發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)特別是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的強勁動能。
市委副書記、市長莊兆林,國家02專項總師、歐亞科學(xué)院院士葉甜春,中科院微電子所黨委書記、副所長(主持工作)戴博偉,市人大常委會副主任、市總工會主席束志明,市政府秘書長周天文,開發(fā)區(qū)黨工委書記李淑俠,開發(fā)區(qū)黨工委副書記、管委會主任臧曉鵬,江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司董事長袁述等出席活動。
 
中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米,建設(shè)年產(chǎn)5000片碳化硅功率器件生產(chǎn)線。中科漢韻是中國科學(xué)院微電子研究所和徐州共同投資的半導(dǎo)體芯片設(shè)計與制造(IDM)企業(yè),專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅MOSFET芯片。中國科學(xué)院微電子所經(jīng)過多年研究與中科漢韻行業(yè)專家開發(fā),取得了碳化硅MOSFET芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計核心技術(shù)和工藝制造核心技術(shù)。
 
中科漢韻團隊包括中國科學(xué)院微電子研究所的行業(yè)專家和多位國內(nèi)外半導(dǎo)體領(lǐng)域博士,他們擁有多年大型芯片制造企業(yè)工作經(jīng)驗,為批量產(chǎn)品穩(wěn)定性和重復(fù)性提供了技術(shù)支持。中科漢韻將致力于高質(zhì)量碳化硅功率器件國產(chǎn)化,為客戶提供高性能的SiC功率器件, 打造成為國內(nèi)一線、世界前沿的SiC器件企業(yè)。
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