奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司，全球領(lǐng)先的氮化鋁材料綜合解決方案服務(wù)商，日前重磅發(fā)布了新一代超寬禁帶半導(dǎo)體高端材料——高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底系列產(chǎn)品，并開始正式小批量量產(chǎn)。目前30mm及以下尺寸氮化鋁單晶襯底正式公開對外發(fā)售，相關(guān)產(chǎn)品均可以在奧趨光電官網(wǎng)（www.utrendtech.com）/微信小程序，或聯(lián)系奧趨光電銷售部門及國內(nèi)外授權(quán)代理商。2英寸氮化鋁單晶襯底也開始接受預(yù)定，預(yù)計Q3正式對外交貨。
圖1 奧趨光電直徑30mm及以下尺寸高質(zhì)量氮化鋁單晶錠
圖2 奧趨光電直徑超35mm高質(zhì)量氮化鋁單晶錠
圖3 奧趨光電各尺寸高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底(未CMP加工)
氮化鋁（AlN）是新一代超寬禁帶半導(dǎo)體高端材料，具有卓越的性能優(yōu)勢，如超大禁帶寬度（高達6.2 eV）、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高熱穩(wěn)定性，以及良好的紫外透過率等，有著其它寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC、GaN等所無法比擬的優(yōu)勢與效率（與其他第三代半導(dǎo)體材料性能參數(shù)對比見表一），是深紫外LED、紫外LD的最佳襯底材料，同時也是各類高功率、高頻及高溫電子器件的理想襯底材料。AlN單晶襯底由于其材料特性、制備難度和在國防軍工、航空航天等領(lǐng)域的關(guān)鍵用途，任意尺寸被歐美國家長年對華禁運。
表1 氮化鋁與其他第三代半導(dǎo)體材料參數(shù)/性能對比
自2016年5月成立以來，奧趨光電始終專注于超寬禁帶半導(dǎo)體AlN晶圓襯底材料及其核心裝備——全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐的研發(fā)與制造，并于2019年4月應(yīng)諾貝爾物理學(xué)獎獲得者天野浩教授為主席的組委會邀請，在日本橫濱舉行的LED工業(yè)應(yīng)用國際會議（LEDIA-2019）上，正式推出了全球最大尺寸的60mm氮化鋁單晶及晶圓樣片，此前美國在AlN晶圓制造方面最大直徑達2英寸（50.8mm），長期處于技術(shù)壟斷地位。
圖4奧趨光電成功研制的全球最大直徑的60mm（2.5英寸左右）AlN單晶及晶圓，相關(guān)成果發(fā)表在知名學(xué)術(shù)期刊Physica Status Solidi A上，作為該期刊封面進行了特別展示，并被諾貝爾獲獎?wù)咛煲昂平淌诘纫?/div>
在此成果基礎(chǔ)上，奧趨光電通過持續(xù)的高強度研發(fā)投入，不斷推進AlN單晶襯底產(chǎn)品制備工藝的優(yōu)化、固化和全自動化制造設(shè)備的迭代，開發(fā)出了具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)、可重復(fù)性好、良品率高的AlN單晶襯底批量化、全制程工藝路線，截止目前共申請/授權(quán)相關(guān)國內(nèi)外專利超過40項。
奧趨光電首批公開投放市場的高質(zhì)量AlN單晶系列產(chǎn)品包括：10x10mm、Φ10mm、Φ15mm、Φ20mm、Φ25.4mm、Φ30以及10-20mm M面AlN單晶襯底。具體如下：
表2 奧趨光電高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底系列產(chǎn)品及購買渠道
據(jù)奧趨光電CTO王琦琨博士介紹，物理氣相沉積法（PVT）是目前唯一能生產(chǎn)大尺寸氮化鋁單晶方法，但氮化鋁單晶生長極其困難，即使經(jīng)過全球無數(shù)團隊近40年的高強度研發(fā)，當前也只有美國能小批量生產(chǎn)2英寸氮化鋁單晶（N極性）及其襯底。氮化鋁為極性晶體，分N極性晶體及Al極性晶體，其中N極性晶體深紫外透光性較差，甚至不具有紫外透光性；而Al極性晶體通常具有優(yōu)異的深紫外透光性，但其生長工藝較N極性晶體更為困難，甚至一度被認為無法成功生長，全球還鮮有成功的先例因而被歐美絕大部分研究團隊放棄。奧趨光電開創(chuàng)性的在世界上首次成功開發(fā)并固化了一系列獨有的大尺寸Al極性氮化鋁單晶生長自動化設(shè)備及其配套專利工藝。因此奧趨光電生長的氮化鋁單晶均為Al極性晶體，具有高結(jié)晶質(zhì)量、低位錯密度及世界領(lǐng)先的深紫外透光性等優(yōu)異特性，部分產(chǎn)品表征參數(shù)如下：
表3 UTI-AlN-025B系列（Φ25.4mm）AlN單晶襯底產(chǎn)品參數(shù)
表4 奧趨光電高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底部分表征結(jié)果
AlN單晶襯底是繼SiC、GaN等之后的新一代超寬禁帶半導(dǎo)體高端材料，匯聚了第三代、第四代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的尖端科技，具備了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料所無法比擬的卓越性能。奧趨光電目前已實現(xiàn)30mm及以下尺寸AlN單晶襯底的批量生產(chǎn)，正在進行2英寸產(chǎn)品的工藝固化及試生產(chǎn)工作，預(yù)計2021年3季度2英寸AlN單晶襯底將正式對外發(fā)售，并同時在規(guī)劃建設(shè)全球最大、產(chǎn)能達20,000-30,000片/年的2英寸氮化鋁單晶襯底生產(chǎn)線。AlN單晶襯底在大功率UVC-LED、紫外激光器、紫外傳感器、高頻/高功率/高溫電子器件、紫外探測及預(yù)警等領(lǐng)域均具有廣泛的應(yīng)用前景。奧趨光電高質(zhì)量AlN單晶襯底系列產(chǎn)品的成功開發(fā)、批量生產(chǎn)和市場化應(yīng)用標志著我國超寬禁帶半導(dǎo)體AlN單晶技術(shù)成功打破了歐美等國在該領(lǐng)域?qū)θA長期技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運，使中國成為繼美國之后第二個具備批量AlN單晶襯底制備能力的國家，具有重要的現(xiàn)實意義和戰(zhàn)略價值。
2 產(chǎn)品銷售渠道
由于上述對華禁運限制，對中國所有AlN單晶襯底用戶而言，奧趨光電事實上是目前全球該材料唯一供應(yīng)商?，F(xiàn)30mm及其以下尺寸AlN單晶襯底已正式公開對外發(fā)售，意向購買的合作客戶、行業(yè)伙伴歡迎通過以下渠道了解詳情、洽談合作、下單采購。
1. 通過奧趨光電銷售熱線：0571-88662725、17367078872（孫先生）、18069846900（陳先生）洽談采購；
2. 或登錄奧趨光電官網(wǎng)：www.utrendtech.com，線上了解產(chǎn)品詳情，在線下單采購；
3. 或掃描下方小程序碼，進入奧趨光電微商城，移動端下單采購。
因新品發(fā)布前期搶購火爆，AlN單晶襯底系列產(chǎn)品需提前預(yù)定，奧趨光電將根據(jù)訂單款到順序盡快發(fā)貨。
關(guān)于奧趨光電
奧趨光電是由海歸博士團隊、半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專家領(lǐng)銜，于2016年5月創(chuàng)立的高新技術(shù)、創(chuàng)新型企業(yè)，總部位于浙江省杭州市。奧趨光電核心專注于第三代/第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁晶圓襯底材料、藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷售，核心產(chǎn)品被列入《中國制造2025》關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料與裝備目錄，是制備深紫外LED芯片、5G射頻前端濾波器、MEMS壓電傳感器等各類紫外發(fā)光器件、高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子及激光器件的理想襯底/壓電材料。
奧趨光電經(jīng)過多年的高強度研發(fā)投入，成功開發(fā)出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，也是全球首家藍寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供1英寸/2英寸高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設(shè)備等產(chǎn)品，同時向客戶及合作伙伴提供從設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、熱場模擬仿真技術(shù)開發(fā)、咨詢及生長工藝優(yōu)化到晶圓制程等全環(huán)節(jié)的完整工藝解決方案與專業(yè)技術(shù)服務(wù)。截止2021年4月，共申請/授權(quán)國際、國內(nèi)專利40項，是全球范圍內(nèi)本領(lǐng)域?qū)＠麛?shù)量最多的團隊之一，被公認為本領(lǐng)域全球技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。
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