近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微半導(dǎo)體”）首臺(tái)8英寸甚高頻去耦合反應(yīng)離子（CCP）刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE 200順利付運(yùn)客戶生產(chǎn)線。

 

據(jù)悉，Primo AD-RIE 200刻蝕設(shè)備是中微半導(dǎo)體自主研發(fā)的新一代8英寸甚高頻去耦合反應(yīng)離子（CCP）刻蝕設(shè)備，能夠滿足不同客戶8英寸晶圓的加工需求，同時(shí)可靈活配置多達(dá)三個(gè)雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)腔（即六個(gè)反應(yīng)臺(tái)）。此外，Primo AD-RIE 200還提供了可升級(jí)至12英寸刻蝕設(shè)備系統(tǒng)的靈活解決方案，以滿足客戶生產(chǎn)線未來可能擴(kuò)產(chǎn)的需求。

 

圖片來源：中微半導(dǎo)體

 

資料顯示，中微半導(dǎo)體從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括CCP刻蝕設(shè)備、ICP刻蝕設(shè)、MOCVD設(shè)備等。據(jù)中微半導(dǎo)體此前公布的年報(bào)顯示，2020年，中微半導(dǎo)體與國內(nèi)外一流客戶保持緊密合作，相關(guān)設(shè)備產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展順利、客戶端驗(yàn)證情況良好。

 

其中CCP刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE、Primo SSC ADRIE、Primo HD-RIE等產(chǎn)品批量應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶的集成電路加工制造生產(chǎn)線，在部分客戶市場(chǎng)占有率已進(jìn)入前三位。此外，在先進(jìn)邏輯電路方面，中微半導(dǎo)體已經(jīng)成功取得5納米及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。

 

在存儲(chǔ)電路方面，中微半導(dǎo)體的刻蝕設(shè)備在64層及128層3D NAND的生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用。隨著3D NAND芯片制造廠產(chǎn)能的迅速爬升，該等產(chǎn)品的重復(fù)訂單穩(wěn)步增長。同時(shí)，公司積極布局動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的應(yīng)用，并開始工藝開發(fā)及驗(yàn)證。

 

Primo AD-RIE 200作為中微半導(dǎo)體新推出的用于8英寸晶圓加工的CCP刻蝕設(shè)備，不僅豐富了中微半導(dǎo)體現(xiàn)有的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線，也是中微半導(dǎo)體發(fā)展歷程中的又一個(gè)重要里程碑。