半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子設(shè)備中最關(guān)鍵的部件之一，因此，研究人員一直專注于開發(fā)由單一單層半導(dǎo)體材料組成的新半導(dǎo)體。一些天然存在的材料利用單層堆積形成的三維晶體提供半導(dǎo)體特性。研究人員可以在實驗室環(huán)境中分離這些層，它們的厚度不超過一個分子，然后用它們來構(gòu)建電子元件。

 

超薄半導(dǎo)體可以提供獨(dú)特的特性，它們能夠利用電場來影響內(nèi)部電子的磁矩。半導(dǎo)體單層也有復(fù)雜的量子力學(xué)現(xiàn)象在里面發(fā)生，可以應(yīng)用于量子技術(shù)。研究人員目前正在研究如何利用被稱為范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的薄半導(dǎo)體形成新的合成材料。

雖然一直在研究堆疊這些層，但這項研究標(biāo)志著首次將單層與超導(dǎo)觸點(diǎn)結(jié)合起來。來自巴塞爾大學(xué)的研究人員將半導(dǎo)體二硫化鉬的單層與超導(dǎo)觸點(diǎn)相結(jié)合。這一突破的重要性讓研究人員非常感興趣，因為他們相信這種組件可以表現(xiàn)出新的特性和物理現(xiàn)象。