SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點都以標注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點。
公司的第四代 10 納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移動端 DRAM（動態(tài)隨機存儲器）產(chǎn)品已經(jīng)在今年 7 月初開始量產(chǎn)。
這是 SK 海力士首次采用 EUV 技術(shù)進行 DRAM 產(chǎn)品的量產(chǎn)。SK 海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應(yīng)采用 1a 納米級技術(shù)的移動端 DRAM。
此次量產(chǎn)的產(chǎn)品是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進行量產(chǎn)的DRAM，其意義非凡。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級產(chǎn)品過程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對其穩(wěn)定性的驗證。
工藝的極度細微化趨勢使半導體廠商陸續(xù)導入EUV設(shè)備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當中。業(yè)界認為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)領(lǐng)導地位的重要因素。SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級 DRAM都將采用EUV工藝進行生產(chǎn)。
SK海力士期待通過新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長的背景下，公司期待1a納米級DRAM在全球存儲半導體供需中扮演重要角色。
此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%. SK海力士認為此次新產(chǎn)品進一步強化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少，充分體現(xiàn)了SK海力士注重ESG（環(huán)境、社會、公司治理）經(jīng)營的精神理念。
在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
Strategy Analytics 機構(gòu)最新的研究報告顯示，2021 年第一季度，全球智能手機存儲芯片市場總銷售額達到114億美元，同比增長 21%。其中，三星以49% 的市場份額排名第一，SK 海力士排名第二，美光位列第三。
