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利普思第三代功率半導(dǎo)體、中微億芯FPGA兩大項目開工

日期:2021-07-20 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:307
核心提示:日前,2021年三季度重大項目現(xiàn)場推進會暨工裝自控高端閥門智造中心項目奠基儀式于無錫濱湖區(qū)舉行。
日前,2021年三季度重大項目現(xiàn)場推進會暨工裝自控高端閥門智造中心項目奠基儀式于無錫濱湖區(qū)舉行。
 
會上,無錫利普思半導(dǎo)體有限公司投資的第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊封裝線項目、中國電科集團下屬無錫中微億芯公司投資的億門級高性能FPGA系列產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目等19個重大項目集中開工。此次開工的項目總投資達113.9億元,今年計劃投資25億元。
 
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下面是部分項目介紹:
 
第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊封裝線項目
 
該項目由無錫利普思半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè),計劃引進2條自動化程度較高的先進第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊封裝生產(chǎn)線,包含全自動銀燒結(jié)機、真空焊接機、全自動端子機、測試機等進口設(shè)備。據(jù)披露,項目達產(chǎn)后,可形成年產(chǎn)模塊產(chǎn)能50萬臺的生產(chǎn)能力。
 
項目總投資2億元,建設(shè)地點于蠡園開發(fā)區(qū)創(chuàng)意園一期,建設(shè)起止年限為2021年至2024年。
 
據(jù)了解,無錫利普思半導(dǎo)體有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體模塊(包括IGBT模塊和SiC模塊)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的科技企業(yè),主要產(chǎn)品包括新能源汽車和工業(yè)用的高可靠性SiC和IGBT模塊。
 
億門級高性能FPGA研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目
 
該項目由中國電科集團下屬無錫中微億芯公司投資建設(shè),專業(yè)主打自主可控FPGA芯片產(chǎn)品,為系統(tǒng)整機廠商提供高集成度、高靈活性、高性價比的超大規(guī)模FPGA、SoC等產(chǎn)品。據(jù)悉,項目將完成產(chǎn)品全流程設(shè)計和配套軟件的生態(tài)建設(shè),完成應(yīng)用IP開發(fā)和系統(tǒng)集成。預(yù)計竣工投產(chǎn)后,未來3年可實現(xiàn)銷售收入9.5億元。
 
項目總投資1.6億元,建設(shè)地點于蠡園開發(fā)區(qū)集成電路設(shè)計中心A6樓,建設(shè)起止年限為2021年至2023年。
 
官微資料顯示,無錫中微億芯有限公司成立于2013年,專業(yè)從事高性能可編程SoC和AI芯片研發(fā),致力于為客戶提供安全可靠的高性能可編程系統(tǒng)及方案,重點打造AI、SoC等高性能處理器芯片和基于3D技術(shù)的微系統(tǒng)和Chiplet產(chǎn)品。 
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