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這個項目將新添一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線 年產(chǎn)值可達(dá)到12億元

日期:2021-08-20 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:266
核心提示:近日,徐州致能半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“徐州致能半導(dǎo)體”)燦科半導(dǎo)體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線。該項目建成并實現(xiàn)量產(chǎn)后,可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片,年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。
近日,徐州致能半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“徐州致能半導(dǎo)體”)燦科半導(dǎo)體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線。該項目建成并實現(xiàn)量產(chǎn)后,可年產(chǎn)氮化鎵共封裝器件2億顆、氮化鎵晶圓6萬片,年產(chǎn)值可達(dá)到12億元。
 
報道顯示,去年11月,燦科半導(dǎo)體功率器件項目簽約落地徐州高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)園內(nèi),由廣東致能科技有限公司投資建設(shè),總投資5.5億元。該項目在今年1月開工建設(shè),3月潔凈廠房建成并投入使用,目前已開始試生產(chǎn)。
 
據(jù)項目負(fù)責(zé)人、徐州致能半導(dǎo)體總經(jīng)理黎子蘭介紹,燦科半導(dǎo)體功率器件項目將新上線一條氮化鎵共封裝器件生產(chǎn)線,可把氮化鎵功率芯片與硅驅(qū)動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起,形成氮化鎵芯片共封裝器件,能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導(dǎo)致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴(yán)重等問題,發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢,也能助推企業(yè)在電子信息產(chǎn)業(yè)依靠科技創(chuàng)新?lián)屨际袌鲂滤{(lán)海。 
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