晶圓代工大廠聯(lián)電及100%持股子公司宏誠(chéng)創(chuàng)投宣布，兩家公司董事會(huì)通過(guò)與頎邦科技進(jìn)行股份交換案。預(yù)計(jì)未來(lái)順利完成之后，聯(lián)電及頎邦科技兩家公司將建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系。

 

聯(lián)電指出，雙方基于多年來(lái)在驅(qū)動(dòng)IC的領(lǐng)域密切聯(lián)系合作，雙方董事會(huì)決議以換股方式，相互取得對(duì)方股權(quán)，更進(jìn)一步強(qiáng)化雙方長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系。三方同意依相關(guān)法規(guī)進(jìn)行股份交換，由頎邦增資發(fā)行普通股新股67152322股作為對(duì)價(jià)，以受讓聯(lián)電增資發(fā)行之普通股新股61107841股，以及宏誠(chéng)創(chuàng)投所持有之聯(lián)電已發(fā)行普通股16078737股，換股比例為聯(lián)電每1股換發(fā)頎邦0.87股。預(yù)計(jì)換股交易完成后，聯(lián)電及子公司宏誠(chéng)創(chuàng)投將共同持有頎邦約9.09%股權(quán)，頎邦則將持有聯(lián)電約0.62%股權(quán)。

 

聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，聯(lián)電當(dāng)前以先進(jìn)制程技術(shù)提供晶圓制造服務(wù)，為IC產(chǎn)業(yè)各項(xiàng)應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)芯片，并且持續(xù)推出尖端制程技術(shù)及完整的解決方案，以符合客戶的芯片設(shè)計(jì)需求，所提供方案橫跨14納米到0.6微米之制程技術(shù)。頎邦的技術(shù)制程主要是聚焦于面板驅(qū)動(dòng)IC封裝測(cè)試、覆晶凸塊制作及晶圓級(jí)芯片尺寸封測(cè)（WLCSP），并持續(xù)投入扇出型系統(tǒng)級(jí)封裝（FOSiP）及覆晶系統(tǒng)型封裝（FCSiP）等相關(guān)高端先進(jìn)封裝技術(shù)制程開(kāi)發(fā)。

 

另外，聯(lián)電為中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)最早經(jīng)營(yíng)面板驅(qū)動(dòng)IC晶圓代工的廠商，亦為成功使用28納米高壓制程于AMOLED面板驅(qū)動(dòng)IC之先行者，并已進(jìn)階至22納米。頎邦則是全球驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)代工領(lǐng)導(dǎo)者，產(chǎn)能、技術(shù)獨(dú)步全球。兩家公司將在驅(qū)動(dòng)IC領(lǐng)域密切合作，整合前、后段制程技術(shù)，往更高頻、更低功耗等方向邁進(jìn)，共同提供面板業(yè)界一元化的解決方案。

 

聯(lián)電進(jìn)一步表示，聯(lián)電近年積極投入開(kāi)發(fā)化合物半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）功率元件與射頻組件制程開(kāi)發(fā)，鎖定市場(chǎng)商機(jī)為高效能電源功率元件及5G射頻元件。頎邦在電源功率元件及射頻元件封測(cè)市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)多年，并已在此行業(yè)占有舉足輕重之地位，服務(wù)項(xiàng)目包括覆晶凸塊（Bumping）、厚銅重布線（RDL）及晶圓級(jí)芯片尺寸（WLCSP）封測(cè)，適用晶圓材質(zhì)除了硅（Si）外，也已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)于砷化鉀（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物晶圓上。頎邦也正在致力開(kāi)發(fā)覆晶系統(tǒng)級(jí)（FCSiP）、扇出型系統(tǒng)級(jí)（FOSiP）等先進(jìn)封裝技術(shù)。聯(lián)電、頎邦分居產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈之上下游，兩家公司將在這些市場(chǎng)區(qū)塊通力合作。