9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。會(huì)議圍繞碳化硅、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展與創(chuàng)新應(yīng)用，助推相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)產(chǎn)品國產(chǎn)化替代。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，云南鍺業(yè)公司首席科學(xué)家/中科院半導(dǎo)體所研究員惠峰帶來了題為“VCSEL用六英寸超低位錯(cuò)密度砷化鎵單晶片研制及應(yīng)用”的主題報(bào)告，報(bào)告針對(duì)6英寸垂直腔面發(fā)射激光器用砷化鎵單晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的關(guān)鍵技術(shù)難題，重點(diǎn)進(jìn)行單晶爐設(shè)計(jì)制造及單晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、單晶生長(zhǎng)工藝和開盒即用砷化鎵晶片加工工藝等核心技術(shù)研究開發(fā)。建成年產(chǎn)10萬片6英寸垂直腔面發(fā)射激光器用砷化鎵單晶材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代和核心技術(shù)自主可控。
嘉賓簡(jiǎn)介
惠峰一直從事國防軍工器件和電路需要的高質(zhì)量砷化鎵、磷化銦及鍺單晶研發(fā)工作。做為重大項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，帶領(lǐng)課題組先后完成了國家重點(diǎn)科技攻關(guān)、國家八六三計(jì)劃重大項(xiàng)目，北京市重大科技項(xiàng)目、國家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目、云南省重大科技計(jì)劃等40多項(xiàng)科研和產(chǎn)業(yè)化任務(wù)，多次獲得中科院科技進(jìn)步二、三等獎(jiǎng)。在云南建成了國際先進(jìn)的鍺單晶、砷化鎵單晶、磷化銦單晶等光電半導(dǎo)體新材料研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)化基地，打破國外核心技術(shù)封鎖，實(shí)現(xiàn)高端半導(dǎo)體晶片國產(chǎn)化替代。
