9月13-14日,“2021中國(南京)功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(huì)(CASICON 2021)”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
![倪煒江](http://m.jycsgw.cn/file/upload/202109/17/161302701.png)
會(huì)上,安徽芯塔電子科技有限公司總經(jīng)理倪煒江帶來了題為“高性能高壓SiC器件設(shè)計(jì)與技術(shù)”的主題報(bào)告,報(bào)告從材料特性、器件結(jié)構(gòu)、發(fā)展現(xiàn)狀等方面介紹高性能高壓SiC器件的技術(shù)及發(fā)展趨勢,以及芯塔電子在SiC功率器件方面的技術(shù)和產(chǎn)品布局。
倪煒江表示,公司目前可以提供600-1200V 各種各種型號和規(guī)格的SiC肖特基二極管;4英寸、6英寸SiC肖特基二極管的裸晶圓、裸芯片;SiC功率模塊和客制化SiC肖特基二極管器件;SiC生產(chǎn)線的建線技術(shù)服務(wù),包括設(shè)備、工藝、產(chǎn)能和技術(shù)規(guī)劃。基于國產(chǎn)工藝平臺(tái)、國產(chǎn)外延和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6英寸SiC MOSFET器件( 1200V 40mΩ,80mΩ )。芯塔電子愿與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)秀企業(yè)和團(tuán)隊(duì)深入合作,共同打造基于全國產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。