9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
六方氮化硼(h-BN)屬六方晶系，其結構屬于類石墨結構，常被成為“白石墨烯”層間B原子和N原子之間導致結構非常穩(wěn)定。h-BN是一種具有優(yōu)異的物理化學性質，應用潛力巨大的超寬禁帶半導體。
h-BN具有本征吸收限低(210 nm),對紫外波段具有良好的透過效果；熱導率高(600 W/m·k)可以提高器件的散熱性能；介電常數(shù)小，這可以保證器件的寄生電容較小，具有更低的噪聲和更快的響應時間；III族氮化物，有助于部分器件有源層材料晶體質量的提升；可通過摻雜金屬調整折射率等特點?；趆BN的電阻開關在5G和太赫茲通信方面應用潛力巨大。
會上，西安交通大學副教授李強做了題為“大面積hBN薄膜制備及電阻開關特性研究”的主題報告，從大面積hBN薄膜的制備、hBN薄膜的表征、hBN薄膜的應用等角度詳細分享了研究成果。
報告指出，通過三明治結構的設計進行電阻開關特性的測試，從實驗上驗證了磁控濺射制備大面積氮化硼薄膜具有電阻開關行為，為BN作為RRAM材料奠定了基礎。
研究結果顯示采用濺射法制備了高質量的 hBN 薄膜并研究了薄膜的特性。制備的 hBN 薄膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。濺射制備的 hBN 薄膜的 RS 行為首先在 Ag/hBN/Al 結構中觀察到。Al摻雜BN薄膜的RS-window明顯增加。
嘉賓簡介
李強，從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應用。第一發(fā)明人擁有國家授權發(fā)明專利11項，在國內外重要期刊上發(fā)表學術論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。
