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北京大學(xué)沈波教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并分享重要報(bào)告

日期:2021-09-27 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:335
核心提示:報(bào)告將分析GaN基大失配異質(zhì)外延的物理本質(zhì)和面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題,接著主要介紹近年來(lái)北京大學(xué)在在上述領(lǐng)域取得的多項(xiàng)研究進(jìn)展和研究成果。
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III族氮化物(又稱GaN基)寬禁帶半導(dǎo)體屬于新興的第三代半導(dǎo)體體系,在短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。近年來(lái)AlGaN基深紫外LED和Si襯底上 GaN基功率電子器件發(fā)展迅速,受到了學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的高度重視。

今年,每?jī)赡暌粚玫娜珖?guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議(WBSC)迎來(lái)了第四屆將在美麗的鷺島廈門(mén)舉辦。由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同主辦,廈門(mén)大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合承辦。
 
屆時(shí),大會(huì)強(qiáng)大的專家團(tuán)隊(duì)將與來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研人員、企業(yè)代表等,將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛探討,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用的深度交流與合作。本次會(huì)議將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
 
據(jù)了解,本屆大會(huì)以“芯動(dòng)力·新征程--寬禁帶半導(dǎo)體的機(jī)遇與挑戰(zhàn)”為主題,由廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟吳玲理事長(zhǎng)共同擔(dān)任大會(huì)主席。同時(shí),邀請(qǐng)了強(qiáng)大的顧問(wèn)委員會(huì)、程序委員會(huì)、組織委員會(huì)專家團(tuán)。
 
據(jù)組委會(huì)最新消息,北京大學(xué)沈波教授將出席第四屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議并帶來(lái)了題為“GaN基寬禁帶半導(dǎo)體的大失配異質(zhì)外延新進(jìn)展”的主題報(bào)告,將分析GaN基大失配異質(zhì)外延的物理本質(zhì)和面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題,接著主要介紹近年來(lái)北京大學(xué)在在上述領(lǐng)域取得的多項(xiàng)研究進(jìn)展和研究成果。
 
嘉賓簡(jiǎn)介
沈波教授
沈波,北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長(zhǎng)江特聘教授、國(guó)家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人,國(guó)家973計(jì)劃項(xiàng)目首席科學(xué)家、國(guó)家863計(jì)劃“半導(dǎo)體照明”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員、國(guó)家863計(jì)劃“第三代半導(dǎo)體”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長(zhǎng)、國(guó)家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組成員。  
 
1995年迄今一直從事III族氮化物(又稱GaN基)寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究,在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長(zhǎng)、強(qiáng)極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運(yùn)性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國(guó)內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國(guó)家973計(jì)劃、863計(jì)劃和自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目等20多項(xiàng)國(guó)家級(jí)科研課題。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇,論文被引用4000多次,獲得/申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利50多件,先后獲國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)、江蘇省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和教育部科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。部分研究成果實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
 
更多詳情見(jiàn)大會(huì)官網(wǎng):www.wbsc.org.cn

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