SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的先鋒，以其三大特性：開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、導(dǎo)通電阻低，使得新一代通用電源在縮小容積以及提升充電速度方面都有了長足進步。
近日，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（公號）、博聞創(chuàng)意會展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。
會上，深圳市先進連接科技有限公司副總經(jīng)理胡博帶來了題為“基于SiC器件的低溫銀燒結(jié)方案”的主題報告，具體分享了納米銀膏技術(shù)發(fā)展（有壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、雙峰納米銀顆粒、銀顆粒與銀片）、熱壓燒結(jié)應(yīng)用場景、熱壓燒結(jié)材料性能、熱壓燒結(jié)材料可靠性研究、無壓燒結(jié)材料應(yīng)用場景、無壓燒結(jié)材料性能、無壓燒結(jié)材料可靠性研究、熱壓燒結(jié)設(shè)備等內(nèi)容。
