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氮化鎵廠商晶通半導(dǎo)體獲千萬元融資

日期:2021-10-09 閱讀:295
核心提示:晶通半導(dǎo)體(JTM)近期已獲得千萬級(jí)人民幣種子輪戰(zhàn)略融資,投資方為模擬芯片設(shè)計(jì)公司——矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司(Silergy)和永創(chuàng)偉業(yè)。本輪融資將主要用于產(chǎn)品研發(fā)、人才招聘、研發(fā)中心建設(shè)等幾方面。
據(jù)36氪報(bào)道,晶通半導(dǎo)體(JTM)近期已獲得千萬級(jí)人民幣種子輪戰(zhàn)略融資,投資方為模擬芯片設(shè)計(jì)公司——矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司(Silergy)和永創(chuàng)偉業(yè)。本輪融資將主要用于產(chǎn)品研發(fā)、人才招聘、研發(fā)中心建設(shè)等幾方面。
 
晶通半導(dǎo)體在2020年底落地于深圳,是深圳市天使母基金旗下天使薈重點(diǎn)引進(jìn)的國際化、高層次人才團(tuán)隊(duì)。晶通半導(dǎo)體專注于提供高可靠性、高性能的智能氮化鎵電子電子解決方案。在產(chǎn)品層面,晶通半導(dǎo)體研發(fā)及設(shè)計(jì)的產(chǎn)品有兩個(gè)系列,分別是氮化鎵(GaN)功率器件及驅(qū)動(dòng)芯片。氮化鎵功率器件由于高開關(guān)速度、低閾值電壓、低柵極擊穿電壓等原因?qū)е略陔娏﹄娮討?yīng)用中相對(duì)于傳統(tǒng)的IGBT與MOSFET來說更容易損壞。
 
晶通半導(dǎo)體(JTM)的智能驅(qū)動(dòng)Smart-Driver 技術(shù)支持多種驅(qū)動(dòng)智能功能,提高了氮化鎵器件的可靠性、開關(guān)頻率、效率和用戶易用等性能。
 
晶通半導(dǎo)體核心創(chuàng)始人均有海外理工名校的留學(xué)背景,有國際化視野與豐富的歐美原廠產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)。其中,創(chuàng)始人劉丹畢業(yè)于瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院,并具備多年在半導(dǎo)體知名大廠的工作經(jīng)驗(yàn)。
 
作為本輪投資方,矽力杰投資人透露,在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中,目前硅基技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭,而氮化鎵技術(shù)正在加速發(fā)展,且逐漸落實(shí)到新的場(chǎng)景應(yīng)用,這在未來會(huì)極大地改變?nèi)藗兊纳罘绞健6芸春镁ò雽?dǎo)體團(tuán)隊(duì)在氮化鎵功率器件的完整經(jīng)驗(yàn),以及擁有海外人才資源及先進(jìn)的國際視野。所以希望借此投資帶來雙贏,更能為客戶及各個(gè)新領(lǐng)域帶來更好的產(chǎn)品。
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