隨著市場(chǎng)對(duì)快充適配器功率密度的不斷追求，適配器的開關(guān)頻率逐漸提升，以縮小內(nèi)部元件體積，傳統(tǒng)的Si MOS器件，開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗已經(jīng)明顯拉低了適配器的轉(zhuǎn)換效率，器件限制不能繼續(xù)提高工作頻率，限制了磁性元件的縮小，不能進(jìn)一步提升適配器的功率密度。

 

近日，由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（公號(hào)）、博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。論壇特別邀請(qǐng)第三代半導(dǎo)體相關(guān)專家、快充產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家及企業(yè)代表，探討第三代半導(dǎo)體技術(shù)及充電產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)。英諾賽科科技有公司高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波帶來了題為“All GaN 系列方案在快充領(lǐng)域的應(yīng)用”的主題報(bào)告。分享了All-GaN 創(chuàng)新解決方案。

英諾賽科科技有公司高級(jí)產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理 鄒艷波

他表示，大功率快充期望功率密度進(jìn)一步提高，InnoGaN 30W~120W 功率段終端產(chǎn)品上市，更多中大功率的設(shè)備將使用GaN PD快充。

同時(shí)，報(bào)告還詳細(xì)介紹了65W、120W、240WAll-GaN 創(chuàng)新解決方案，其中，65W2C1A，開關(guān)頻率：400KHZ功率密度：25W/in3；120W 單C，開關(guān)頻率：400KHZ，功率密度：38W/in3；240W 48V/5A，開關(guān)頻率：500KHZ，功率密度：41W/in3。

他表示，英諾賽科是全球首條8英寸硅基氮化鎵IDM量產(chǎn)線，全球?qū)＠?00+，產(chǎn)品主要為30V-650V GaN FET，目前在珠海和深圳擁有研發(fā)生產(chǎn)基地，深圳擁有市場(chǎng)和應(yīng)用基地，2021年底產(chǎn)能可達(dá)1萬片晶圓/月。未來，氮化鎵的應(yīng)用將在消費(fèi)類電子、工業(yè)和汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用值得期待。

鄒艷波，有豐富的氮化鎵器件應(yīng)用于高頻高密電源開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，原任職于ICT領(lǐng)域知名企業(yè)，從事手機(jī)、AI智能云服務(wù)器和5G通信設(shè)備的供電解決方案的前沿技術(shù)的研究和開發(fā)?，F(xiàn)負(fù)責(zé)氮化鎵器件產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)與規(guī)劃，構(gòu)建公司氮化鎵器件產(chǎn)品在5G通信，新能源汽車，智能手機(jī)，人工智能，大數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。