據(jù)日經(jīng)消息，日本半導(dǎo)體大廠東芝半導(dǎo)體開發(fā)出了用于供電的新一代功率半導(dǎo)體技術(shù)。東芝新開發(fā)的芯片可以抑制噪音發(fā)生，采用新一代技術(shù)的芯片與之前相比電力損耗少25%。

 

東芝半導(dǎo)體創(chuàng)建于1875年，其功率IC系列涵蓋從40V和60V的低壓功率IC到250V和600V的高壓功率IC。

 

低壓功率IC具有過電流、熱關(guān)斷等保護(hù)功能，并具有診斷輸出。它們主要用于車載娛樂應(yīng)用；高壓功率IC則主要應(yīng)用于家用電器無刷直流電機(jī)。

 

具體來說，東芝在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品包括絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、電子注入增強(qiáng)柵晶體管（IEGT）、SiC MOSFET。

 

IGBT是一種通過與MOSFET相同的方式控制柵極和發(fā)射極之間的電壓，接通和關(guān)斷集電極和發(fā)射極之間電源的器件主要應(yīng)用在IH烹飪?cè)O(shè)備，電飯煲，廚房微波爐，冰箱，洗衣機(jī)，空調(diào)等產(chǎn)品。

 

IEGT則具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高的特點(diǎn)，主要用于整流器、變壓器、風(fēng)力發(fā)電機(jī)組、軌道運(yùn)輸系統(tǒng)中（如新干線N700S系列高速列車）。值得一提的是，IEGT是最先由東芝提出的技術(shù)，東芝也是IEGT器件的主要生產(chǎn)與供應(yīng)商。

 

相對(duì)于雙極的IGBT器件，SiC MOSFET的關(guān)斷損耗更低，且更耐高壓。東芝的SiC MOSFET已經(jīng)應(yīng)用在了電動(dòng)汽車充電樁等大功率轉(zhuǎn)化器的參考設(shè)計(jì)中。

 

根據(jù)公開資料顯示，東芝在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)著約4.5%的份額。隨著低碳成為全球共同關(guān)注的議題，功耗問題已經(jīng)成為功率半導(dǎo)體的重要指標(biāo)之一。本次東芝新發(fā)表的技術(shù)，可以將噪聲降低51%，功耗降低25%。同時(shí)，這款芯片面積減少了15%并具備在短路等事故發(fā)生的時(shí)候，迅速采取保護(hù)措施的功能。東芝預(yù)計(jì)這一技術(shù)將在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。