近日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
期間， “IFWS 2021：碳化硅功率器件與封裝應用論壇“成功召開。會議由蕪湖啟迪半導體有限公司、中國電子科技集團公司第四十八研究所、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司協(xié)辦支持。
▲大連理工大學教授王德君
會上，大連理工大學王德君教授通過云視頻分享了“SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù) ”主題報告。報告中介紹了在SiC MOS器件制作過程當中柵氧氧化后處理的一道工序，在柵氧和半導體之間界面會形成大量的缺陷，包括界面的缺陷、固定的電荷、柵氧內(nèi)部的缺陷、可動離子等不理想因素，尤其是界面的缺陷和近界面處的缺陷會對器件的溝道遷移率會產(chǎn)生影響，近界面的缺陷和電荷會對器件性能的穩(wěn)定性造成影響。
在SiC半導體器件制作及可靠性技術(shù)領(lǐng)域，一種利用含氯元素的氧化后退火技術(shù)改進SiC MOSFET器件性能的方法。通過在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2界面附近陷阱，又可以通過氯元素固定SiO2薄膜中的可動離子，從而有效提升SiC MOSFET器件的穩(wěn)定性。
與已有技術(shù)相比，本發(fā)明通過在氧化中引入氮元素，在退火中引入氯元素，既可以有效消除SiC/SiO2 界面附近陷阱，又可以通過氯元素固定SiO2 薄膜中的可動離子，從而有效提升SiC MOSFET器件的穩(wěn)定性。更重要的是，氮，氫和氯三種元素的最佳處理時間并不相同，通過氧化引入大量的N可以有效的消除陷阱，隨后引入的氫和氯元素可以巧妙的調(diào)整處理時間，使其既能鈍化剩余缺陷以及固定可動離子，同時不會產(chǎn)生對柵氧絕緣層的劣化。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！）
