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CSPSD 2024成都前瞻|大連理工大學(xué)王德君:SiC半導(dǎo)體表界面缺陷及
MOS器件
可靠性
評(píng)論 ?
2024-04-18 13:47
大連理工大學(xué)王德君教授:SiC
MOS器件
氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)
大連理工大學(xué)
王德君教授
SiC
MOS器件
氧化后
退火
低溫再氧化
退火技術(shù)
評(píng)論 ?
2021-12-10 09:28
澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN:4H-SiC
MOS器件
中活性缺陷的量化表征
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:25
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