近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“分論壇上，南京大學(xué)況悅做了題為“κ-Ga2O3/In2O3 同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和界面彎曲”的主題報(bào)告，分享了最新成果。將κ-Ga2O3 集成到其他氧化物半導(dǎo)體上開辟了一條令人興奮的途徑，亞穩(wěn)態(tài) κ-Ga2O3的基本生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)和物理特性仍遠(yuǎn)未探索。研究通過激光分子束外延報(bào)告了單晶亞穩(wěn)態(tài)正交 κ-Ga2O3外延層和立方In2O3(111) 的異質(zhì)結(jié)構(gòu)構(gòu)造。發(fā)現(xiàn)Sn和In元素偏析到生長(zhǎng)表面并作為表面活性劑降低氧吸附原子的總表面能和擴(kuò)散勢(shì)壘，從而在生長(zhǎng)前沿產(chǎn)生富含Ga的條件，從而促進(jìn)κ- Ga2O3相。深度剖面X射線光發(fā)射光譜 (XPS) 分析確定了I型帶對(duì)齊，導(dǎo)帶偏移 (CBO) 為 0.45 eV，價(jià)帶偏移 (VBO) 為-1.15 eV 的κ-Ga2O3/In2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)。通過雙層模型對(duì)霍爾結(jié)果的分析確定，具有1.2×1014 cm-2片狀載流子濃度和192 cm2/Vs 增強(qiáng)遷移率的二維電子氣 (2DEG) 被限制在異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面處。研究表明，增強(qiáng)的界面電導(dǎo)率是極化操縱和帶不連續(xù)性相結(jié)合的結(jié)果，壓電力顯微鏡和深度剖面XPS的特性很好地支持。通過將 κ-Ga2O3 集成到其他六邊形極性半導(dǎo)體上，可以打開通過極化工程操縱界面電導(dǎo)率的可能性，并提供具有多種功能的先進(jìn)設(shè)備。
況悅，主要研究方向?yàn)閷捊麕О雽?dǎo)體異質(zhì)結(jié)與能帶工程，作為核心成員參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、國(guó)家自然科學(xué)基金等，曾獲南京大學(xué)優(yōu)秀研究生、江蘇金融租賃獎(jiǎng)學(xué)金、南京大學(xué)學(xué)業(yè)一等獎(jiǎng)學(xué)金等，目前已在Applied Physics Letters, ACS Applied Electronic Materials等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表多篇學(xué)術(shù)論文。多次在半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議等重要會(huì)議上作口頭報(bào)告。
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