近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。 
期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體材料“論壇上，西安交通大學(xué)助理教授王艷豐做了題為”大面積單晶金剛石及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究“的主題報(bào)告。GaN HEMT器件通常在柵寬不到200μm的小器件可測(cè)得高的輸出功率密度，而當(dāng)要實(shí)現(xiàn)大的輸出總功率時(shí)，隨著器件柵寬的增加輸出功率密度下降的十分嚴(yán)重，且頻段越高這個(gè)問(wèn)題越嚴(yán)重。材料的內(nèi)稟特性決定了電子器件的性能，既有高導(dǎo)熱又有寬禁帶的半導(dǎo)體成為主題。

 

金剛石在高溫、高頻、高效大功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域極具潛力，可應(yīng)用于高端武器裝備、電力電子器件、兆瓦級(jí)微波與光學(xué)窗口、航空航天、高端集成等領(lǐng)域。報(bào)告具體分享了金剛石材料的新進(jìn)展以及金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究的最新成果。

 

報(bào)告指出，英寸級(jí)單晶金剛石已經(jīng)研制出來(lái)，需進(jìn)一步提高質(zhì)量，降低缺陷密度，更大面積的單晶金剛石也已經(jīng)在同-異質(zhì)外延兩方面開(kāi)展工作；金剛石基微波器件、功率電子器件已經(jīng)開(kāi)展了大量的工作。

 

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）