近日，第七屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、羅德與施瓦茨、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司共同協(xié)辦支持的”射頻電子器件與應(yīng)用論壇“上，西安電子科技大學(xué)特聘教授劉志宏做了題為“面向移動(dòng)SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進(jìn)展”的主題報(bào)告。

 

GaN射頻器件已經(jīng)證明在雷達(dá)、衛(wèi)星、通信基站等領(lǐng)域具有非常大的優(yōu)勢(shì)，并且得到應(yīng)用。GaN射頻器件主要優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在PA上，GaN PA具有高功率、高效率、小體積、抗輻射、耐高溫、低系統(tǒng)成本等優(yōu)點(diǎn)。GaN射頻移動(dòng)終端SoC應(yīng)用具有強(qiáng)自發(fā)極化和壓電極化、更高的電子飽和速度、更大的導(dǎo)熱系數(shù)、更低的花費(fèi)、更容易與Si CMOS集成等優(yōu)勢(shì)。如果使GaN射頻器件具有對(duì)GaAs足夠優(yōu)勢(shì)，需要解決提高性能、降低成本等挑戰(zhàn)。報(bào)告從InAlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、AlN勢(shì)壘結(jié)構(gòu)Si基GaN HEMT、Si基GaN其他射頻器件及GaN-CMOS異質(zhì)集成等方面分享了研究進(jìn)展與成果。

 

劉志宏，西安電子科技大學(xué)教授、博導(dǎo)。2007年加入新加坡南洋理工大學(xué)淡馬錫實(shí)驗(yàn)室，任職Research Associate，負(fù)責(zé)氮化鎵微波器件和MMIC制造技術(shù)的研發(fā)；2011年加入新加坡-麻省理工學(xué)院聯(lián)合科技中心（SMART），任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist，負(fù)責(zé)硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質(zhì)集成技術(shù)、氮化鎵電力電子器件等的研發(fā)。2019年全職回國(guó)加入西安電子科技大學(xué)。目前研究方向?yàn)镚aN等寬禁帶半導(dǎo)體器件物理、制造技術(shù)、表征建模與集成電路。

 

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