近日，第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，由北京一徑科技有限公司、廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司協(xié)辦支持的“車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會“如期舉行。
會上，上海電驅(qū)動電控研究院院長陳雷做了題為“功率半導(dǎo)體在新能源汽車電機控制器中的應(yīng)用”的線上主題報告，分享了當(dāng)前電驅(qū)動系統(tǒng)發(fā)展趨勢，功率半導(dǎo)體的損耗、封裝、可靠性等關(guān)鍵性能以及碳化硅、氮化鎵的應(yīng)用狀況。
報告指出，碳化硅的應(yīng)用方面，2020-2021年，開發(fā)基于單面直接冷卻模塊的SiC控制器，使用900V/1200V的SiC MOSFET，已完成B樣設(shè)計，以及雙脈沖、效率MAP、EMC等關(guān)鍵測試。2020年-2021年，開發(fā)基于氮化鎵器件的電機控制器，A樣機開發(fā)已經(jīng)完成合裝，并完成雙脈沖、效率MAP等關(guān)鍵性能測試。
基于氮化鎵的電機控制器最高效率可到99.2%，效率大于90%的面積占比為93.58%。基于硅基IGBT的電機控制器最高效率可到98.3%，效率大于90%的面積占比為83.94%。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
