1月9日晚,揚(yáng)杰科技(300373)發(fā)布了2021年度業(yè)績(jī)預(yù)告。公告顯示,公司2021年歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為7.19億至7.94億元,同比增長(zhǎng)90%至110%;扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為6.65億至7.41億元,同比增長(zhǎng)80.75%至101.3%。
而對(duì)于業(yè)績(jī)上漲的原因,揚(yáng)杰科技解釋道,2021年,受益于國(guó)家及地區(qū)出臺(tái)的利好政策和下游市場(chǎng)拉動(dòng),公司抓住功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代加速的機(jī)遇,加大市場(chǎng)開(kāi)拓力度,加速新建產(chǎn)能釋放,報(bào)告期內(nèi)集團(tuán)營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)60%以上。同時(shí),受益于市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng),子公司宜興杰芯半導(dǎo)體有限公司、成都青洋電子材料有限公司、四川雅吉芯電子科技有限公司2021年銷(xiāo)售收入同比增長(zhǎng)分別為230%、65%、330%,其中宜興杰芯半導(dǎo)體有限公司、四川雅吉芯電子科技有限公司實(shí)現(xiàn)扭虧為贏,為公司整體效益提升做出貢獻(xiàn)。
另外,公告還顯示,公司在深入了解客戶需求的基礎(chǔ)上,加快新產(chǎn)品的研發(fā)速度,促使新產(chǎn)品釋放效益,新產(chǎn)品業(yè)績(jī)突出。其中,MOSFET產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)130%,小信號(hào)產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)82%,IGBT產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)500%,模塊產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)35%。在研發(fā)投入方面,2021年前三季度,揚(yáng)杰科技的研發(fā)支出為1.72億元,遠(yuǎn)超過(guò)去任一年度,同比增長(zhǎng)91.11%。
與此同時(shí),公司IDM+Fabless模式為增長(zhǎng)提供產(chǎn)能側(cè)“雙保險(xiǎn)”。一方面,全球中小尺寸晶圓產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)較慢,公司自有四、六英寸晶圓產(chǎn)線且在不斷擴(kuò)張中,目前新建廠區(qū)已完成封頂,隨著設(shè)備陸續(xù)搬入并完成調(diào)試,為公司提供產(chǎn)能保障,尤其可以較好地滿足汽車(chē)產(chǎn)能專用性的需求,且公司具備快速將硅片產(chǎn)線改造為碳化硅產(chǎn)線的能力;另一方面,中芯紹興為公司提供8英寸晶圓產(chǎn)能,隨著中芯紹興不斷擴(kuò)產(chǎn),同時(shí)其產(chǎn)線的良率和工藝水平不斷提升,為公司提供8英寸晶圓產(chǎn)能保障。
揚(yáng)杰科技在去年四季度增速有所加快。三季報(bào)顯示,公司報(bào)告期的營(yíng)收為32.41億元,同比增加75.76%;實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)5.65億元,同比增加115.17%。第三季單季度營(yíng)收為11.61億元,同比增加64.24%;歸母凈利潤(rùn)2.20億元,同比增加86.59%。
揚(yáng)杰科技集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售于一體,專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測(cè)試等高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。公司主營(yíng)產(chǎn)品為各類(lèi)電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、小信號(hào)二三極管、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G、電力電子、消費(fèi)類(lèi)電子、安防、工控、汽車(chē)電子、新能源等諸多領(lǐng)域。
2014年上市以來(lái),揚(yáng)杰科技已經(jīng)先后完成三次股權(quán)融資,累計(jì)直接融資27.52億元。這些資金主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局,其中不乏前瞻性布局。比如,2016年,公司通過(guò)定增募資10億元,其中1.5億元用于SiC(碳化硅)芯片、器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)。SiC芯片代表了第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。