1月14日，納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)宣布于上海開設(shè)新的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中心，用以開展氮化鎵功率芯片業(yè)務(wù)。設(shè)計(jì)中心將為全功能、可產(chǎn)品化的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)開發(fā)原理圖、布局和固件。

 

與傳統(tǒng)的硅解決方案相比，基于氮化鎵的車載充電器(OBC)的充電速度快3倍，節(jié)能高達(dá)70%。氮化鎵OBC、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器將有望延長(zhǎng)電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程，或?qū)㈦姵爻杀窘档?%。與使用硅芯片相比，氮化鎵功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年來(lái)到。到2050年，將電動(dòng)汽車升級(jí)到使用GaN之后，道路部門的二氧化碳排放量每年有望減少20%。

 

制造氮化鎵功率芯片的二氧化碳排放量比硅芯片低 10 倍。考慮到效率以及材料尺寸和重量?jī)?yōu)勢(shì)，每個(gè)出貨的納微氮化鎵功率芯片相比硅可以節(jié)省大約 4 公斤的二氧化碳?？傮w而言，到 2050 年GaN 有望解決每年 2.6 Gton 的二氧化碳排放量減少問(wèn)題。

 

納微半導(dǎo)體上海設(shè)計(jì)中心新任高級(jí)總監(jiān)孫浩先生表示：“ Navitas將與 OBC、DC-DC 和牽引系統(tǒng)公司合作，創(chuàng)建具有最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新世界級(jí)解決方案，以推動(dòng) GaN 進(jìn)入主流電動(dòng)汽車。”

 

納微半導(dǎo)體副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰表示：“對(duì)于 GaN 來(lái)說(shuō)，電動(dòng)汽車是一個(gè)令人興奮的擴(kuò)展市場(chǎng)，估計(jì)每輛 EV 內(nèi)，氮化鎵的潛在價(jià)值為 250 美元。”