第三代半導體氮化鎵功率器件，在快充等消費領域中獲得了廣泛的應用。但隨之而來的高頻磁芯材料制造及成本，也限制了氮化鎵器件沖擊高頻的步伐，開關頻率始終沒有突破兆赫茲。對工業(yè)應用領域的開關電源來說，能夠在有限的體積內(nèi)提升效率，提高功率密度，也逐漸成為人們的共識。在大功率開關電源中應用芯冠CASCODE結(jié)構氮化鎵器件，可以使用傳統(tǒng)硅MOS的控制芯片，同時CASCODE結(jié)構氮化鎵器件，相比傳統(tǒng)硅器件具有更低的開關損耗和柵極電荷，氮化鎵高頻低損耗的優(yōu)勢可以得到充分發(fā)揮，為節(jié)能減排貢獻力量。

大連芯冠科技有限公司是采用IDM模式，從事以氮化鎵為代表的第三代半導體外延材料、晶圓研發(fā)及器件設計的制造商，產(chǎn)品應用于電源管理、太陽能逆變器、電動汽車及工業(yè)馬達驅(qū)動等領域。公司已與國內(nèi)多家半導體功率器件及下游電源廠商展開深入合作，開發(fā)基于氮化鎵器件的新一代各類電源產(chǎn)品，包括新能源汽車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務器電源和高端電機驅(qū)動等。提供650V/900V多規(guī)格的功率器件產(chǎn)品，電源功率的應用覆蓋幾十瓦到幾千瓦范圍。芯冠氮化鎵功率器件的特點是兼容標準MOS驅(qū)動，應用設計簡單，只需配合柵極電阻調(diào)節(jié)開關速度，引腳套磁珠抑制EMI干擾；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。