近日，功率半導(dǎo)體IDM廠商里陽半導(dǎo)體完成首輪數(shù)億元人民幣融資，IDG資本獨家投資。

 

資料顯示，里陽半導(dǎo)體創(chuàng)立于2018年，是國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件廠商，專注于高性能可控硅Thyristor、超低正向壓降高壓整流管芯片Rectifier、TVS、ESD等功率器件以及MOV、GDT放電管、TSS等防護(hù)產(chǎn)品，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)，計算機(jī)、消費類電子產(chǎn)品、智能家電、照明、汽車電源管理、智能安防等市場領(lǐng)域。

 

里陽半導(dǎo)體擁有低漏電、低壓臺面玻璃鈍化工藝和超低漏電、低壓平面工藝等先進(jìn)工藝，是生產(chǎn)單芯片工作電壓從5V-600V的業(yè)內(nèi)最齊全的器件制造商，在同類工藝比較中，里陽半導(dǎo)體相對同行產(chǎn)品低壓漏電流更低，高壓浪涌承受能力更強，且平面和臺面芯片均可承受150℃結(jié)溫并且擁有生產(chǎn)175℃高結(jié)溫芯片的能力。同時，在晶閘管領(lǐng)域，研發(fā)、量產(chǎn)出同行領(lǐng)先150℃高結(jié)溫可控硅組件。

 

IDG資本表示，功率器件在5G基站、電動汽車、安防等工業(yè)和消費場景的應(yīng)用逐年增長且有較強的迭代創(chuàng)新需求，存在國產(chǎn)替代機(jī)會，看好里陽半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)展意識、技術(shù)積淀與生產(chǎn)管理及制造能力，堅定支持里陽半導(dǎo)體成為中國乃至全球知名的功率半導(dǎo)體公司。

 

首輪融資將助力里陽半導(dǎo)體將快速實現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)充，解決產(chǎn)能不足問題，同時進(jìn)一步提升研發(fā)實力。

 

據(jù)悉，里陽半導(dǎo)體一期工廠在浙江臺州玉環(huán)市，已實現(xiàn)從芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試到下游應(yīng)用的完整IDM產(chǎn)業(yè)鏈，目前處于產(chǎn)能爬坡階段，預(yù)計今年底將達(dá)到一期峰值產(chǎn)能。

 

 

功率半導(dǎo)體器件，即我們常說的電力電子器件，是實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，廣泛應(yīng)用于消費電子，工業(yè)，汽車等領(lǐng)域。

 

近年，受益于5G、新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件市場迎來廣闊發(fā)展空間，相關(guān)企業(yè)在資本市場備受青睞。

 

僅以今年3月為例，媒體已經(jīng)報道了多起功率半導(dǎo)體器件投融資事件，除了里陽半導(dǎo)體之外，3月還有美浦森、安建半導(dǎo)體、天狼芯半導(dǎo)體、銳駿半導(dǎo)體等企業(yè)完成新一輪融資。

 

美浦森宣布完成近億元A輪融資，本輪融資由深圳創(chuàng)東方領(lǐng)投，上市公司和而泰股份跟投。本輪資金將用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件產(chǎn)品線、IGBT等新產(chǎn)品的擴(kuò)充和先進(jìn)工藝研發(fā)、吸引高精端人才、并繼續(xù)投入“美浦森測試及應(yīng)用實驗室”。

 

安建半導(dǎo)體獲1.8億元B輪融資，募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、第三代半導(dǎo)體SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設(shè)。資料顯示，安建半導(dǎo)體成立于2016年，專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計和銷售，是賦能高端芯片國產(chǎn)化的企業(yè)之一。

 

天狼芯半導(dǎo)體宣布獲得A+輪融資，本輪資金將主要用于產(chǎn)能擴(kuò)張、產(chǎn)品研發(fā)、技術(shù)迭代以及市場推廣。天狼芯半導(dǎo)體成立于2020年1月， 是一家專注于提供高性能國產(chǎn)功率半導(dǎo)體芯片的Fabless創(chuàng)新企業(yè)，主要產(chǎn)品為超低電壓微處理器，GaN系列、SiC系列寬禁帶功率器件，以及Trench/SGT MOSFET。

 

銳駿半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元C輪融資，融資將用于持續(xù)增強高低壓SGT / SJ MOSFET、持續(xù)投入IGBT、碳化硅SIC SBD/SIC MOS研發(fā)，模塊車規(guī)級產(chǎn)業(yè)化布局等方面。

 

從融資用途來看，不少功率半導(dǎo)體器件廠商傾向于鞏固既有的硅器件業(yè)務(wù)的同時，積極發(fā)力以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件。

 

第三代半導(dǎo)體功率擁有廣闊市場前景，這是眾多功率半導(dǎo)體廠商積極布局的原因之一。