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天津大學李立強教授課題組:有機晶體管新進展—實現(xiàn)五年長壽命

日期:2022-03-30 來源:天津大學新聞網閱讀:489
核心提示:天津大學李立強教授課題組:有機晶體管新進展—實現(xiàn)五年長壽命
 (分子聚集態(tài)科學研究院供稿)有機場效應晶體管(OFET)作為最重要的有機電子元器件之一,在柔性顯示、電子皮膚、可穿戴設備、智慧醫(yī)療、射頻標簽、柔性存儲等領域具有廣闊的應用前景。經過三十多年的發(fā)展,有機場效應晶體管的電學性能(遷移率等參數(shù))與相關加工工藝等方面已取得巨大進步,但該領域仍未實現(xiàn)實用化,穩(wěn)定性是制約實用化的關鍵瓶頸問題,也是該領域被質疑是否有應用前景的關鍵問題。

影響器件穩(wěn)定性的關鍵因素是有機半導體材料的化學和物理穩(wěn)定性。傳統(tǒng)觀點認為有機晶體管穩(wěn)定性差主要源自有機半導體化學結構不穩(wěn)定。目前,通過分子設計和封裝等策略,有機半導體的化學穩(wěn)定性問題已經得到有效解決。但在長期保存過程中,基于化學結構穩(wěn)定的有機半導體構筑的晶體管仍會發(fā)生性能衰減,說明除化學因素外,還有其他因素導致器件失穩(wěn)。大量研究表明有機半導體薄膜的物理聚集態(tài)結構(晶相和形貌)演變是器件失穩(wěn)的關鍵原因之一,但其內在機制長期未被揭示,因而未開發(fā)出有效的增穩(wěn)策略以構建長壽命晶體管器件。傳統(tǒng)觀點認為有機半導體分子間作用力弱,因而其聚集態(tài)結構易失穩(wěn),這是有機半導體的本征屬性,難以解決。

近年來,天津大學分子聚集態(tài)科學研究院李立強教授團隊聚焦于有機半導體材料與器件的失穩(wěn)機制與增穩(wěn)策略,在前期工作中,通過和頻振動光譜技術,揭示了分子構象誘導的界面應力是有機半導體分子聚集態(tài)結構演變與器件失穩(wěn)的關鍵內在驅動力之一(Sci. Adv.2021,7, eabf8555)在界面應力的研究基礎上,通過文獻調研發(fā)現(xiàn),薄膜內還存在熱膨脹系數(shù)差異、結構缺陷(如位錯、空位、晶界)等因素導致的應力。在這些應力的共同作用下,材料的聚集態(tài)結構處于不穩(wěn)定的應變態(tài)(Strain state)。

欲實現(xiàn)穩(wěn)定的分子聚集態(tài)結構,需開發(fā)恰當策略解決應力驅動的失穩(wěn)問題。根據經典的材料力學理論,應力分為張應力與壓應力,在材料內分別引起張應變和壓應變,若通過調控使薄膜內張、壓應力(應變)相互抵消,此時薄膜整體表現(xiàn)為應力應變平衡狀態(tài)(即無應變狀態(tài)),薄膜體系的總吉布斯自由能趨近最低點,其聚集態(tài)結構具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。迄今為止,在有機晶體管領域內,通過應力應變平衡策略實現(xiàn)穩(wěn)定的有機半導體聚集態(tài)結構的研究未見報道。

為了證明有機半導體薄膜內應變態(tài)的存在并探索其對材料聚集態(tài)結構的影響,李立強教授團隊采用X射線衍射技術(XRD)對有機半導體薄膜進行了結構表征,發(fā)現(xiàn)有機半導體薄膜的應變大小和種類與膜厚存在較強的依賴關系(圖1a,b)。隨著厚度的增加,有機半導體膜會表現(xiàn)出由張應變到壓應變的變化過程,在這個過程中存在臨界厚度使有機半導體膜處于無應變狀態(tài)(Strain-free state)。根據布拉格定律,以有機半導體單晶的(001)晶面間距為標準,當膜厚較小時,有機半導體膜的晶面間距偏大,處于張應變狀態(tài);當膜厚超過臨界厚度(DNTT材料臨界厚度約200 nm)時,有機半導體膜的晶面間距偏小,處于壓應變狀態(tài);當膜厚為臨界厚度時,有機半導體膜的晶面間距與單晶相近,處于無應變狀態(tài)(圖1d)。

圖1 有機半導體厚度依賴的薄膜應變與聚集態(tài)結構變化

不同應變狀態(tài)的有機半導體膜在長達5年的保存過程中,其聚集態(tài)結構表現(xiàn)出極大差異。如圖1e所示,低于200 nm的薄膜在張應變作用下發(fā)生嚴重的去浸潤現(xiàn)象,超過200 nm的厚膜在壓應變作用下發(fā)生開裂現(xiàn)象,而200 nm的有機半導體膜表現(xiàn)出極穩(wěn)定的聚集態(tài)結構。這些現(xiàn)象表明,通過調控薄膜的應變狀態(tài),可以實現(xiàn)超穩(wěn)定的薄膜聚集態(tài)結構。應變不平衡的有機半導體膜通過發(fā)生去浸潤或開裂現(xiàn)象釋放內應力,進而導致薄膜聚集態(tài)結構失穩(wěn)(圖1c-e)。

圖2 保存5年后的有機晶體管的保存穩(wěn)定性、操作穩(wěn)定性以及與文獻報道壽命對比

基于無應變薄膜構筑了具有優(yōu)異保存穩(wěn)定性的晶體管,保存壽命超過五年,此壽命值顯著優(yōu)于文獻中器件的保存壽命(圖2a,d)。而且器件在保存五年后,依然具有優(yōu)異的操作穩(wěn)定性,可經受32500次循環(huán)操作,并可長時間驅動有機發(fā)光二極管(organic light-emitting diode,OLED)(圖2b,c),展現(xiàn)出優(yōu)異的應用潛力。

該系列工作揭示了應力驅動的有機半導體聚集態(tài)結構失穩(wěn)機制,深化了對有機半導體聚集態(tài)結構穩(wěn)定性的認知。開發(fā)了普適性的應變平衡增穩(wěn)新策略,提升了材料聚集態(tài)結構保存穩(wěn)定性,顛覆了有機半導體分子間作用力弱導致聚集態(tài)結構不穩(wěn)定的傳統(tǒng)觀點,構筑了5年長壽命晶體管,為有機晶體管的實用化奠定了堅實的基礎。相關成果發(fā)表于Nature Communications (Nat. Commun.2022,13, 1480)。

Nature Communications文章鏈接:

https://www.nature.com/articles/s41467-022-29221-8

導師介紹:李立強,天津大學教授、博士生導師,2002年和2005年在南開大學獲得學士和碩士學位,2008年在中科院化學研究所獲得博士學位(導師:胡文平研究員、朱道本院士)。2008年至2014年在德國明斯特大學物理所從事博士后研究工作(合作導師:遲力峰教授),2014年加入中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所,任研究員,2019年調入天津大學。一直從事有機場效應晶體管材料與器件研究,重點聚焦有機半導體的失穩(wěn)機制與增穩(wěn)策略。在Adv. Mater.、Sci. Adv.、Nat. Commun.、J. Am. Chem. Soc.、Angew. Chem. Int. Ed.、Adv. Energy Mater.等期刊上發(fā)表文章80余篇。主持國家重點研發(fā)計劃子課題、國家自然科學基金面上項目、中國科學院前沿科學重點研究項目、天津市杰出青年基金項目,參與國家自然科學基金創(chuàng)新研究群體項目和重點項目。

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