半導(dǎo)體最大細(xì)分，5G、AI、智能車驅(qū)動成長。存儲芯片為半導(dǎo)體的重要分支，產(chǎn)值占其30%，全球市場規(guī)模于波動中保持上升趨勢，從2005年的546億美元增至2020年的1229億美元，近15年復(fù)合增速達(dá)5.6%。復(fù)盤歷史，存儲芯片市場出現(xiàn)過多輪新終端或應(yīng)用驅(qū)動的成長周期，如90年代PC的滲透，2000年功能機(jī)的滲透及iPod等推出，2010年代智能機(jī)的滲透及云計(jì)算的爆發(fā)，未來存儲芯片需求將在5G、AI以及智能車的驅(qū)動下步入下一輪成長周期。預(yù)計(jì)2021年市場規(guī)模將同比增長22%，2023年將超過2000億美元。

短期強(qiáng)周期，長期高成長。受益于服務(wù)器、手機(jī)、PC等下游需求驅(qū)動，存儲芯片市場規(guī)?？焖贁U(kuò)張。中信建投判斷，未來數(shù)年，服務(wù)器、手機(jī)、PC仍是存儲芯片的核心應(yīng)用，其中服務(wù)器需求增長明顯，將成為主要驅(qū)動力，而手機(jī)和PC的需求增長主要來自存量升級。此外，受益于汽車智能化，汽車存儲需求將持續(xù)高增，遠(yuǎn)期市場有望比肩PC。從結(jié)構(gòu)上看，DRAM和NAND為存儲芯片的核心品類，兩者2020年份額合計(jì)達(dá)96%，其中DRAM技術(shù)迭代以制程演進(jìn)為主，NAND技術(shù)迭代以3D堆疊為主。存儲芯片市場格局趨向寡頭壟斷，因此大廠供給和下游需求的錯配導(dǎo)致了存儲周期，短時(shí)間維度看，存儲芯片價(jià)格周期性波動，長時(shí)間維度看，存儲芯片單位容量價(jià)格成下降趨勢。

 

中國存儲芯片自給不足，本土廠商有望崛起。目前，DRAM市場前三大廠商市占率合計(jì)大于95%，格局由三星電子、美光、SK海力士高度壟斷，馬太效應(yīng)顯著，而NAND相對分散，中信建投判斷其格局未來將向DRAM演變。國內(nèi)存儲芯片需求龐大，市場規(guī)模在430億美元以上，超全球的1/3，且增速高于全球平均水平，但自給率不足5%，龐大內(nèi)需、新興應(yīng)用及政策推動助力國產(chǎn)存儲芯片快速發(fā)展。從下游看，政府、電信、金融等關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)⒊蔀榇鎯π酒瑖a(chǎn)化的中堅(jiān)力量，潛在需求超百億美元。除長鑫存儲和長江存儲攻堅(jiān)大宗市場外，本土廠商多集中在利基市場，目前國產(chǎn)化率已達(dá)到一定水平，其中兆易創(chuàng)新、北京君正、東芯股份發(fā)展迅速，市場地位不斷提高。