公告顯示，公司控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司擬投資4.62億元進(jìn)行碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目建設(shè)工期24個(gè)月。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiCMOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiCMOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。

 

據(jù)市場研究和戰(zhàn)略咨詢公司Yole新近發(fā)布的Power SiC 2022報(bào)告指出，到2027年SiC器件市場預(yù)計(jì)將超過70億美元，比2021年的10億美元增長60億美元。這項(xiàng)價(jià)值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)將吸引更多廠商加入其中，未來將迎來新一輪的產(chǎn)能擴(kuò)張和供應(yīng)鏈整合。

 

時(shí)代電氣表示，本項(xiàng)目的建設(shè)是基于公司發(fā)展戰(zhàn)略和市場需求的重要舉措，符合國家政策發(fā)展方向，通過該項(xiàng)目的實(shí)施，有利于進(jìn)一步擴(kuò)大和增強(qiáng)企業(yè)競爭力，為公司碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來新的發(fā)展機(jī)遇。同時(shí)，項(xiàng)目完成后，公司工藝平臺(tái)能力、產(chǎn)品研發(fā)能力及生產(chǎn)制造能力進(jìn)一步提升。從長遠(yuǎn)來看，對公司的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營業(yè)績均有積極作用。

 

 

公開資料顯示，時(shí)代電氣主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。同時(shí)，公司在功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開展業(yè)務(wù)。

 

為響應(yīng)國家要求及公司整體發(fā)展戰(zhàn)略，公司半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)致力于打造先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件自主核心技術(shù)，依托強(qiáng)大的應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)平臺(tái)，強(qiáng)化“芯片-模塊組件-裝置-系統(tǒng)”完整產(chǎn)業(yè)鏈，形成器件技術(shù)推動(dòng)裝置進(jìn)步、裝置技術(shù)拉動(dòng)器件技術(shù)的良性循環(huán)。

 

在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)。其中，公司生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關(guān)鍵器件由國外企業(yè)壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。

 

公告披露，本項(xiàng)目實(shí)施后將形成面向新能源汽車、軌道交通方向的SiC芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，并進(jìn)一步研發(fā)高性能的新產(chǎn)品，可以進(jìn)一步推進(jìn)中車時(shí)代半導(dǎo)體工藝技術(shù)進(jìn)步，提升產(chǎn)業(yè)化水平，實(shí)現(xiàn)國家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片自主化，提升國際競爭力，保障第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。

 

 

賽迪顧問高級分析師楊俊剛分析認(rèn)為，SiC市場的增長主要來源于市場需求的增加，由于其帶隙較寬、擊穿場強(qiáng)、熱導(dǎo)率強(qiáng)，目前主要應(yīng)用于電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏和儲(chǔ)能等領(lǐng)域。隨著雙碳經(jīng)濟(jì)、新基建等國家戰(zhàn)略的實(shí)施，SiC的使用量將進(jìn)一步提升，一些產(chǎn)品將從硅基變成SiC。

 

2019年中國SiC、GaN電力電子器件應(yīng)用市場中，消費(fèi)電源是第一大應(yīng)用，占比28%，工業(yè)及商業(yè)電源次之，占比 26%，新能源汽車排第三，占比11%。

 

未來隨著SiC、GaN產(chǎn)品的成本下降，性價(jià)比優(yōu)勢開始凸顯，將會(huì)有更多的應(yīng)用場景。特別是新能源汽車快速發(fā)展，SiC 迎來發(fā)展良機(jī)。SiC 應(yīng)用于新能源車，可以降低 損耗、減小模塊體積重量、提升續(xù)航能力。

 

相關(guān)數(shù)據(jù)預(yù)測，到2025 年全球新能源汽車有望達(dá)到1100萬輛，中國占50%。新能源汽車需要新增大量的功率半導(dǎo)體，48V 輕混需要增加90美元以上，電動(dòng)或者混動(dòng)需要增加330美元以上，如果采用 SiC 器件，則單車價(jià)值量增加更多。因此，隨著成本下降和技術(shù)的逐步成熟，SiC 在新能源車中具有較大的應(yīng)用空間。

 

 

事實(shí)上，時(shí)代電氣早在“十三五”期間，就建成了碳化硅芯片線，從目前來看，這不僅僅解決了公司在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域從無到有的突破，更為此次升級改造奠定了良好的根基。

 

比如，公司由此擁有了良好的技術(shù)基礎(chǔ)，公司在碳化硅器件領(lǐng)域已申請多項(xiàng)發(fā)明專利及發(fā)表多篇論文，完成了第一代技術(shù)產(chǎn)品的開發(fā)和技術(shù)積累，已形成成熟的SiC芯片產(chǎn)品“設(shè)計(jì)-制造-測試-模塊”完整能力，公司SiC產(chǎn)品在地鐵、新能源汽車、光伏等市場領(lǐng)域均已實(shí)現(xiàn)應(yīng)用示范。

 

公司已全面掌握平面柵（DMOS+）技術(shù)、溝槽柵 (TMOS) 技術(shù)和精細(xì)溝槽（RTMOS）技術(shù)。公司建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應(yīng)用的全套自主技術(shù)，除雙極器件和IGBT器件在輸配電、軌道交通、新能源等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用外，公司的“高性能SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應(yīng)用驗(yàn)證”項(xiàng)目已通過科技成果鑒定，實(shí)現(xiàn)了高性能SiC SBD五個(gè)代表品種和SiC MOSFET三個(gè)代表品種，部分產(chǎn)品已得到應(yīng)用。

 

可以說，公司擁有的完善項(xiàng)目建設(shè)體系是項(xiàng)目成功的重要保障。公司有過多條產(chǎn)業(yè)化半導(dǎo)體生產(chǎn)線的建設(shè)經(jīng)驗(yàn)，技術(shù)團(tuán)隊(duì)具備豐富的項(xiàng)目組織經(jīng)驗(yàn)與能力，擁有健全的項(xiàng)目實(shí)施機(jī)構(gòu)，完備的項(xiàng)目管理制度，完善的資金控制體系，可完全勝任本項(xiàng)目的建設(shè)。

 

整體來看，伴隨6英寸SiC晶片制造技術(shù)的成熟，其相關(guān)產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性逐漸提高，帶動(dòng)國外下游器件制造廠商對SiC晶片的采購需求逐漸由4英寸向6英寸轉(zhuǎn)化， 6英寸碳化硅的主流趨勢明顯。

 

此次時(shí)代電氣提升碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力較好的順應(yīng)了行業(yè)發(fā)展大勢，既可以較好的滿足下游新能源、光伏以及儲(chǔ)能的爆發(fā)式需求，極大的增厚公司業(yè)績，又可以提升國家第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵芯片自主化，加速推動(dòng)國產(chǎn)替代。