半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：4月22日，蘇州東微半導體股份有限公司發(fā)布2021 年年度報告，報告期內(nèi)，公司共實現(xiàn)營業(yè)收入7.82億元，較上年同期增長153.28%；歸屬于上市公司股東的凈利潤1.47億元，較上年同期增長430.66%；歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤1.4億元，較上年同期增長588.67%。報告期內(nèi)，公司所在的半導體功率器件領域景氣度持續(xù)向好，下游需求旺盛，同時，公司通過不斷深化與上下游優(yōu)秀合作伙伴的合作，持續(xù)擴大產(chǎn)能，并不斷研發(fā)出更為優(yōu)秀的產(chǎn)品與技術。

 

公司主營產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源車車載充電機、數(shù)據(jù)中心服務器電源、快速充電 器等領域。報告期內(nèi)，公司業(yè)績的持續(xù)增長主要系受前述應用領域需求增長、產(chǎn)能持續(xù)擴大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構進一步優(yōu)化等因素影響。

 

公司是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術驅(qū)動型半導體企業(yè)，產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域。公司憑借優(yōu)秀的半導體器件與工藝創(chuàng)新能力，集中優(yōu)勢資源聚焦 新型功率器件的開發(fā)，是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設計公司之一，并在應用于工業(yè)級及汽車級領域的高壓超級結(jié) MOSFET、中低壓功率器件等產(chǎn)品領域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代。此外，公司基于自主專利技術開發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺的多種TGBT器件，已批量進入光伏逆變、儲能、直流充電樁、電機驅(qū)動等應用領域的多個頭部客戶。

 

公司的主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結(jié)MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET、以及TGBT系列IGBT產(chǎn)品。公司的產(chǎn)品廣泛應用于以新能源汽車直流充電樁、車載充電機、5G 基站電源及通信電源、數(shù)據(jù)中心服務器電源、儲能和光伏逆變器、UPS 電源和工業(yè)照明電源為代表的工業(yè)級應用領域，以及以PC電源、適配器、TV電源板、手機快速充電器為代表的消費電子應用領域。

 

報告期內(nèi)，公司功率器件成品營業(yè)收入同比增長 146.81%，營業(yè)成本同比增長 115.55%，毛利率增加10.40個百分點；晶圓營業(yè)收入同比增長192.83%，營業(yè)成本增長145.36%，毛利率增加13.40個百分點。主要系受新能源汽車充電樁、通信電源、光伏逆變器、新能源汽車車載充電機等應用領域需求增長、產(chǎn)能持續(xù)擴大、新產(chǎn)品不斷推出及產(chǎn)品組合結(jié)構進一步優(yōu)化等因素所致。

 

報告期內(nèi)，公司進一步加大對新產(chǎn)品與新技術研發(fā)的投入力度，持續(xù)優(yōu)化8英寸與12英寸芯片代工平臺的產(chǎn)品布局，取得較好成效。截止報告期末，公司共計擁有產(chǎn)品規(guī)格型號1790余款，包括高壓超級結(jié) MOSFET產(chǎn)品（包括超級硅 MOSFET）1100款，中低壓SGT產(chǎn)品641款，IGBT產(chǎn)品52款。

 

對于公司的發(fā)展，公司始終專注于工業(yè)及汽車相關等中大功率應用領域，是少數(shù)具備從專利到產(chǎn)品量產(chǎn)完整經(jīng) 驗的功率器件設計公司之一。公司領先的功率器件和工藝創(chuàng)新能力已在工業(yè)級高壓超級結(jié) MOSFET產(chǎn)品和中低壓MOSFET器件產(chǎn)品領域得到了充分的驗證。未來，公司將持續(xù)聚焦創(chuàng)新 型高性能功率半導體產(chǎn)品，致力于成為國際領先的功率半導體廠商。

 

作為國內(nèi)最早在12英寸晶圓產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)的功率半導體設計公司之一，公司將進一步利用平臺優(yōu)勢提高現(xiàn)有產(chǎn)品的性能。在高壓MOSFET方面，公司將延續(xù)高壓超級結(jié) MOSFET產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，充分利用12英寸先進制程工藝，進一步提升產(chǎn)品動態(tài)性能，優(yōu)化一致性和穩(wěn)定性，降低單位面積導通電阻，并加速擴大產(chǎn)品在工業(yè)級應用領域的市場份額，取代更多的進口品牌的份額，實現(xiàn)國產(chǎn)高端、高速功率器件產(chǎn)品的自主可控。在中低壓MOSFET方面，公司將擴大已有產(chǎn)品的優(yōu)勢，并在12英寸制程開發(fā)國際領先的產(chǎn)品，滿足客戶在低功耗、高功率密度領域的需求。在IGBT方面，公司計劃充分發(fā)揮自主知識產(chǎn)權的技術優(yōu)勢，達到甚至超過國際先進產(chǎn)品的性能，借此在高端應用領域替換國外產(chǎn)品，實現(xiàn)高端應用的國產(chǎn)化。