半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息:中微公司發(fā)布2022年第一季度報告,天岳先進透露近期產(chǎn)能狀態(tài),聞泰科技透露碳化硅技術(shù)研發(fā)也進展順利,晶盛機電發(fā)布2021年年度報告,日本電裝與聯(lián)華電子將合作生產(chǎn)功率半導體,羅姆與臺達聯(lián)手開發(fā)第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件,微芯長江年產(chǎn)25萬片碳化硅項目即將正式生產(chǎn),振華科技擬募資逾25億加碼半導體功率器件等項目,SK公司收購韓國碳化硅芯片龍頭95.8%的股份,晶升裝備積極布局碳化硅業(yè)務沖刺科創(chuàng)板上市,清芯半導體獲得3000萬元融資。詳情如下:
中微公司
2022年一季度扣非后凈利同比增長1578%
4月28日,中微公司發(fā)布了2022年第一季度報告。報告顯示,本期營業(yè)收入9.49億元,較上年同期增加約3.46億元,同比增長57.31%。歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為1.86億元,同比增長1,578.18%。
報告顯示,本期營業(yè)收入9.49億元,較上年同期增加約3.46億元,同比增長57.31%,主要系:(1)受益于半導體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢,本報告期刻蝕設(shè)備收入為7.14億元,較上年同期增長約105.03%;(2)由于公司新簽署的Mini LED MOCVD設(shè)備規(guī)模訂單在本期尚未確認收入,MOCVD設(shè)備本期收入為0.42億元,較上年同期下降約68.59%。
本期歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤為1.86億元,較上年同期的0.11億元增加1.75億元,同比增長1,578.18%,主要系本期營業(yè)收入較上年同期增加3.46億元,同時本期毛利率從去年的40.92%增長至45.47%,增加4.55個百分點,本期毛利較上年同期增加約1.85億元。
本期歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.17億元,較上年同期減少約0.21億元,下降約14.94%,主要系本期收入和毛利增長下扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤較上年同期增加1.75億元,但本期非經(jīng)常性損益較上年同期減少約1.96億元。非經(jīng)常性損益的變動主要包括:(1)本期計入當期損益的政府補助收益為0.04億元,較上年同期的1.69億元減少約1.65億元;(2)由于公司持有的中芯國際和天岳先進的股票價格在本期有較大下降,公司本期產(chǎn)生相關(guān)的公允價值變動損失1.01億元,而上年同期公司股權(quán)投資為損失0.24億元,該因素導致本期利潤較上年同期減少約0.77億元。
天岳先進
產(chǎn)能處于飽和狀態(tài)!
4月27日,有投資者在投資者互動平臺提問:公司招股說明書披露長晶爐大概580多臺,實際年產(chǎn)量碳化硅襯底不到5萬片,請問公司單爐年產(chǎn)量大約多少片?580多臺長晶爐是全部滿產(chǎn)的嗎?
天岳先進(688234.SH)在投資者互動平臺表示,公司2021全年碳化硅襯底產(chǎn)量約6.7萬片,近年來產(chǎn)能處于飽和狀態(tài)。公司將根據(jù)訂單情況統(tǒng)籌安排公司生產(chǎn)計劃,同時公司也在不斷進行技術(shù)突破以實現(xiàn)良率的持續(xù)爬坡。
聞泰科技
已量產(chǎn)硅基氮化鎵功率器件,碳化硅二極管產(chǎn)品已出樣
近日,聞泰科技在調(diào)研中表示,公司現(xiàn)在已推出硅基氮化鎵功率器件,該產(chǎn)品已通過AECQ認證測試并實現(xiàn)量產(chǎn),公司協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴完成了GaN在電動車逆變器、電控、電源等方案的設(shè)計工作。
并且,聞泰科技透露,碳化硅技術(shù)研發(fā)也進展順利,碳化硅二極管產(chǎn)品已經(jīng)出樣。IGBT產(chǎn)品目前已完成流片,正處測試驗證階段。新的模擬IC類產(chǎn)品也正處在加速研發(fā)推進中。
晶盛機電
2021年凈利17.12億,已建6英寸碳化硅研發(fā)實驗線
近日,晶盛機電(300316)發(fā)布2021年年度報告。報告期內(nèi),實現(xiàn)營業(yè)收入59.61億元,同比增長56.44%;歸屬于上市公司股東的凈利潤17.12億元,同比增長99.46%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤16.32億元,同比增長99.07%;經(jīng)營活動產(chǎn)生的現(xiàn)金流量凈額17.37億元,同比增長82%;基本每股收益1.33元,擬每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利2.8元(含稅)。
報告期內(nèi),晶盛機電把握行業(yè)發(fā)展趨勢,加強市場開拓,提升服務品質(zhì),實現(xiàn)訂單量、營業(yè)收入規(guī)模及經(jīng)營業(yè)績同比大幅增長。其中晶體生長設(shè)備營業(yè)收入347,465.81萬元,同比增長32.47%;智能化加工設(shè)備營業(yè)收入113,949.59萬元,同比增長106.61%;藍寶石材料營業(yè)收入38,937.63萬元,同比增長100.78%;設(shè)備改造服務營業(yè)收入36,248.62萬元,同比增長258.20%。
分業(yè)務來看,在硅材料領(lǐng)域,晶盛機電專注于光伏和集成電路領(lǐng)域兩大產(chǎn)業(yè)的系列關(guān)鍵設(shè)備,公司在光伏產(chǎn)業(yè)鏈裝備取得了行業(yè)認可的技術(shù)和規(guī)模雙領(lǐng)先的地位,在半導體8-12英寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域,產(chǎn)品質(zhì)量已達到國際先進水平。藍寶石材料方面,公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平,目前已成功生長出全球領(lǐng)先的700Kg級藍寶石晶體,并實現(xiàn)300Kg級及以上藍寶石晶體的規(guī)模化量產(chǎn)。碳化硅材料方面,公司已建設(shè)6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,研發(fā)產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證。
報告期內(nèi),公司在12英寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域陸續(xù)研發(fā)了減薄設(shè)備、雙拋設(shè)備、最終拋設(shè)備,設(shè)備性能達到國際先進水平,并已取得客戶驗證階段通過,豐富了公司半導體設(shè)備產(chǎn)品線,推進了半導體大硅片設(shè)備的國產(chǎn)化進程,并將逐步實現(xiàn)12英寸硅片設(shè)備的自主可控。
晶盛機電同日披露2022年第一季度報告,報告期內(nèi),公司實現(xiàn)營業(yè)收入和凈利潤分別為19.52億元、4.42億元,同比增長114.03%、57.13%;扣非凈利潤4.32億元,同比增長78.35%。
日本電裝與聯(lián)華電子
將合作生產(chǎn)功率半導體
據(jù)日經(jīng)中文報道,日本電裝與聯(lián)華電子(UMC)發(fā)布消息稱,雙方將合作生產(chǎn)功率半導體。將在聯(lián)華電子日本子公司的三重工廠內(nèi),新設(shè)可支持300毫米直徑大尺寸基板材料的功率半導體生產(chǎn)線,2023年上半年投產(chǎn)。由于純電動汽車(EV)等電動車不斷普及,功率半導體的需求增加,兩家企業(yè)將通過此次合作來應對這種需求。
資料顯示,日本電裝是豐田汽車重要的汽車零部件和系統(tǒng)供應商,在全球30多個國家和地區(qū)都有產(chǎn)業(yè)布局,旗下的公司有200多家,接近20萬員工,日本電裝的產(chǎn)品均是高技術(shù)型的汽車零部件,包括傳動控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、熱力系統(tǒng)以及信息和安全系統(tǒng),還包括小型電機。
羅姆與臺達
聯(lián)手開發(fā)第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件
4月27日,羅姆和臺達電子共同宣布,就第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)締結(jié)戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
羅姆指出,雙方將利用臺達多年來積累的電源開發(fā)技術(shù)與羅姆的功率元器件開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù),聯(lián)合開發(fā)適合更多電源系統(tǒng)的600V耐壓GaN功率器件。
據(jù)了解,今年3月,羅姆確立了柵極耐壓高達8V的“150V耐壓GaN HEMT”的量產(chǎn)體系,并將該系列產(chǎn)品命名為“EcoGaN?”,產(chǎn)品非常適用于基站和數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路應用。今后,羅姆將繼續(xù)擴大“EcoGaN”的產(chǎn)品陣容,并致力于進一步提高產(chǎn)品性能。
振華科技
擬募資逾25億加碼半導體功率器件等項目
日前,中國振華(集團)科技股份有限公司(以下簡稱“振華科技”)發(fā)布2022年度非公開發(fā)行A股股票預案,擬定增募資不超25.18億元用于半導體功率器件產(chǎn)能提升等項目。
據(jù)披露,扣除發(fā)行費用后,振華科技本次的募集資金凈額擬全部投向半導體功率器件產(chǎn)能提升項目、混合集成電路柔性智能制造能力提升項目、新型阻容元件生產(chǎn)線建設(shè)項目、繼電器及控制組件數(shù)智化生產(chǎn)線建設(shè)項目、開關(guān)及顯控組件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化能力建設(shè)項目及補充流動資金。其中,半導體功率器件產(chǎn)能提升項目總投資7.9億元,由振華科技全資子公司中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠)(以下簡稱“振華永光”)負責實施,項目計劃使用振華永光現(xiàn)有廠房并租用振華科技廠房進行生產(chǎn)建設(shè),建設(shè)地點為貴州省貴陽市烏當區(qū)中國振華工業(yè)園區(qū),主要生產(chǎn)6英寸功率半導體、陶瓷封裝功率半導體器件、金屬封裝功率半導體器件和塑料封裝功率半導體器件等。
當前,振華永光現(xiàn)有4英寸線已經(jīng)無法滿足產(chǎn)能需要,振華永光擬建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線;將陶瓷封裝、金屬封裝兩條生產(chǎn)線的燒結(jié)、壓焊工序整合,采用自動化設(shè)備進行生產(chǎn),新增產(chǎn)能400萬只/年;并針對現(xiàn)有的塑封生產(chǎn)線進行拓展,新增產(chǎn)能2,600萬只/年。
SK公司
持有韓國碳化硅芯片龍頭95.8%的股份
4月27日,SK公司表示,該公司將投資1,200億韓元(合9,500萬美元),成為韓國電動汽車碳化硅功率半導體公司Yes Power Technix的控股股東,并持有Yes Power Technix 95.8%的股份。
Yes Power Technix是一家專門從事碳化硅功率半導體設(shè)計和制造的公司。2021年1月,SK為該公司投資了268億韓元,隨后持有該公司35%的股份。
SK解釋道,隨著特斯拉Model 3等電動汽車采用耐熱性更強的芯片,該公司希望通過這筆投資在碳化硅半導體市場上占據(jù)一席之地。此外,SK預計韓國碳化硅芯片供應鏈將包括其碳化硅芯片公司SK Siltron。
SK先進材料投資中心(SK Advanced Materials investment Center)執(zhí)行副總裁Kim Yang-taek在一份聲明中表示,“此次收購是我們加強對電動汽車關(guān)鍵技術(shù)投資的一步。通過快速提高生產(chǎn),我們預計此次收購將助力我們成為先進材料領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者。”
微芯長江
年產(chǎn)25萬片碳化硅項目即將正式生產(chǎn)
日前,在銅陵經(jīng)開區(qū)安徽微芯長江半導體材料公司(以下簡稱“微芯長江”)的碳化硅晶體生產(chǎn)車間,來自中科院的專家技術(shù)團隊正在對設(shè)備進行安裝調(diào)試。
據(jù)悉,微芯長江半導體項目總投資13.5億元,是銅陵市去年“雙招雙引”的重點項目,預計今年6月份即可正式生產(chǎn)。
據(jù)“銅陵經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)”此前報道,該項目是FerroTec集團在第三代半導體領(lǐng)域的全新布局。
項目新建碳化硅晶體生長車間、碳化硅晶圓片加工車間、研發(fā)中心等。建成達產(chǎn)后,預計年產(chǎn)碳化硅晶圓片4英寸5萬片、6英寸20萬片,將成為省內(nèi)首家碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)化企業(yè)。
晶升裝備
積極布局碳化硅業(yè)務,沖刺科創(chuàng)板上市
4月27日晚間,上交所官網(wǎng)顯示,南京晶升裝備股份有限公司(以下簡稱“晶升裝備”)科創(chuàng)板IPO已獲得受理。
晶升裝備是一家半導體專用設(shè)備供應商,主要向半導體材料廠商及其他材料客戶提供半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍寶石單晶爐等定制化的晶體生長設(shè)備。其中,碳化硅單晶爐主要應用于碳化硅單晶襯底制造,藍寶石單晶爐主要應用于LED襯底及消費電子領(lǐng)域材料制造。2019-2021年,晶升裝備實現(xiàn)營業(yè)收入為2295.03萬元、12843.35萬元、19492.37萬元;對應的凈利潤分別為-1159.33萬元、3482.15萬元、4651.76萬元。
據(jù)悉,隨著第三代半導體行業(yè)的快速發(fā)展,晶升裝備積極布局相關(guān)業(yè)務,于2018年開始投入碳化硅單晶爐的產(chǎn)品應用技術(shù)研發(fā)工作、于2019年實現(xiàn)量產(chǎn)銷售。2019年-2021年間,晶升裝備陸續(xù)開發(fā)了三安光電、東尼電子、浙江晶越及客戶A等主要客戶。
招股書顯示,晶升裝備此次IPO擬募資4.76億元,投建于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目、半導體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項目。
晶升裝備稱,兩大項目均系圍繞公司現(xiàn)有業(yè)務及核心技術(shù)展開,其中“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”是在公司現(xiàn)有主營業(yè)務產(chǎn)品的基礎(chǔ)上實施產(chǎn)能擴充,同時進行晶體生長設(shè)備和長晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級,以期加快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化,助力公司拓寬產(chǎn)品線,加大產(chǎn)品在下游材料制造廠商應用的廣度和深度,提高下游產(chǎn)品的良率和質(zhì)量,更好地滿足客戶需求,搶占國內(nèi)晶體生長設(shè)備市場。“半導體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項目”是公司基于未來整體產(chǎn)能目標的規(guī)劃,綜合考慮“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”達產(chǎn)后的產(chǎn)能,進行的產(chǎn)能補充項目,項目建成后將成為產(chǎn)能全國領(lǐng)先的晶體生長設(shè)備生產(chǎn)基地。
清芯半導體
第三代半導體SiC功率器件研發(fā)商獲3000萬元融資
近日,據(jù)消息,東莞清芯半導體科技有限公司(以下簡稱“清芯半導體”)獲得3000萬元融資。
該公司將繼續(xù)圍繞第三代半導體SiC功率器件等芯片核心技術(shù)進行研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新,加速推進該技術(shù)的國產(chǎn)替代。清芯半導體是一家第三代半導體SiC功率器件研發(fā)商,是松山湖材料實驗室創(chuàng)新樣板工廠孵化項目,得到清大創(chuàng)投、清大莞商、鶴灣投資等產(chǎn)業(yè)基金支持。公司以IDM模式進行產(chǎn)業(yè)鏈和供應鏈的優(yōu)化,擁有6英寸芯片生產(chǎn)線、功率模塊封裝線,公司技術(shù)產(chǎn)品可以廣泛應用于電動汽車、清潔能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、5G通信、軌道交通等。
目前,清芯半導體已經(jīng)建設(shè)完成具有國際先進水平6英寸SiC功率器件中試生產(chǎn)線,覆蓋SiC功率器件設(shè)計、制造、測試、封裝和可靠性評估等環(huán)節(jié),實現(xiàn)了SiC功率器件的自主制造,研發(fā)的1200V、2000V和3300V的SiC功率器件產(chǎn)品逐步進入量產(chǎn)階段。