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半導體晶圓供應商IQE開發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

日期:2022-05-18 來源:MEMS閱讀:251
核心提示:據(jù)麥姆斯咨詢報道,全球領(lǐng)先的半導體晶圓供應商IQE率先開發(fā)出了全球首批商用200毫米(8英寸)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)外延片
據(jù)麥姆斯咨詢報道,全球領(lǐng)先的半導體晶圓供應商IQE率先開發(fā)出了全球首批商用200毫米(8英寸)垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)外延片。
 
化合物半導體外延片擴展到8英寸將大大降低3D傳感器的激光器成本。這將帶來新的代工伙伴關(guān)系,包括采用8英寸設備的大批量硅基代工廠。它還將助推化合物半導體在硅上的集成,支持更廣泛的器件和應用。
 
2017年,IQE開發(fā)了VCSEL外延片,并將其從4英寸擴展到6英寸,從而為高端智能手機打開了3D傳感的大門。此次擴展到8英寸進一步帶來了超越智能手機的廣泛機遇,進入各種智能連接設備,以及增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實(AR/VR)應用。
 
2022年1月,IQE首席執(zhí)行官Americo Lemos接替了IQE創(chuàng)始人、前首席執(zhí)行官Drew Nelson。Americo Lemos評價說:“這是一個重要的里程碑,確立了IQE在大規(guī)格化合物半導體技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導地位。”
 
他說:“重點是通過將我們的路線圖擴展到8英寸,建立新的代工合作伙伴關(guān)系來擴大我們的業(yè)務。隨著5G和元宇宙等宏觀趨勢的發(fā)展,這項突破將擴大無線和光電子應用市場,滿足對化合物半導體日益增長的需求,為我們的技術(shù)創(chuàng)造更多價值。”
 
IQE獲得專利的鍺上VCSEL(IQGeVCSEL)技術(shù),通過利用鍺而不是砷化鎵,實現(xiàn)了940 nm和1300 nm范圍內(nèi)的光電子器件與CMOS技術(shù)的集成,并提供了12英寸外延片路線圖。
 
IQE還與英國初創(chuàng)公司Porotech簽署了一項戰(zhàn)略協(xié)議,為其miniLED顯示屏的紅光、綠光和藍光發(fā)射器開發(fā)并供應8英寸氮化鎵(GaN)晶圓。
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