山西平臺作為國創(chuàng)中心六大平臺的重要一環(huán)，對建立健全國家半導體技術創(chuàng)新體系，推動山西省半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要作用。中電科二所是我國以智能制造、微電子裝備及應用、碳化硅裝備及應用、新能源裝備及應用等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)的骨干單位。多年來，中電科二所立足自主裝備，與產(chǎn)業(yè)融合，形成了獨具特色的高端智能制造和工藝技術系統(tǒng)集成的能力。中電科二所是“國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（山西）”依托單位。中電科二所相關負責人匯報了國創(chuàng)中心（山西）實施方案及進展情況，對國創(chuàng)中心（山西）建設內容、目標、實體化進展及后續(xù)工作安排等做了詳細報告。各共建單位分別從第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)介紹了自己的優(yōu)勢和建設內容。

 

山西省副省長于英杰在聽取匯報后，對國創(chuàng)中心（山西）實施方案表示肯定和支持，從國家戰(zhàn)略、第三代半導體的重要性、國創(chuàng)中心（山西）的特色和實體化推進等方面強調了國創(chuàng)中心（山西）建設的重要性，并提出下一步推進目標，部署后續(xù)工作要求，明確了責任單位和時間節(jié)點。他表示，建設國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心既是國家的重大戰(zhàn)略需求，也是應對當前國際國內各種形勢變化的需要。大家要解放思想、形成合力，通過體制機制創(chuàng)新、產(chǎn)學研結合等方式，共同推動國創(chuàng)中心（山西）的建設，完成好國家賦予的使命任務。

 

據(jù)了解，中北大學在第三代半導體技術研究方面有長期積累，開展了硅基GaN-HEMT、SiC基高溫集成電路、SiC高溫微納器件、SiC電力電子器件與系統(tǒng)等方面的研究。在器件設計方面，所依托的中北大學微納加工中心是國內高校范圍內技術先進的半導體工藝研發(fā)平臺。中北大學在半導體人才培養(yǎng)方面，具有深厚的團隊基礎，充足的研發(fā)經(jīng)費，先進的平臺條件和有效的培養(yǎng)模式，其通過半導體學院、半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟和山西省實驗室等平臺的建設,與中電科二所等山西省內半導體龍頭企業(yè)共同開展了半導體裝備、半導體發(fā)光等領域重點研發(fā)計劃和揭榜掛帥項目研究。

 

中北大學相關負責人表示，將立足自身優(yōu)勢資源，在本次國創(chuàng)中心建設中，配合牽頭單位拓展第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈條，開展產(chǎn)業(yè)先導的技術研發(fā)，通過項目牽引、產(chǎn)教融合，培養(yǎng)出一批服務于山西省半導體產(chǎn)業(yè)的骨干人才，成為山西省未來第三代半導體事業(yè)發(fā)展的中堅力量。

 

同時，山西中科潞安紫外光電科技有限公司是從事第三代半導體紫外LED芯片研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)，公司依托國家科技進步一等獎、何梁何利基金科技創(chuàng)新獎獲得者、中科院半導體所李晉閩研究員領銜的技術和管理團隊，旨在推動我國深紫外LED產(chǎn)業(yè)化進程，在氮化物深紫外領域具有深厚的積淀;現(xiàn)已建設省級工程研究中心、國防先進技術創(chuàng)新中心、工信領域新型研發(fā)機構、省級眾創(chuàng)空間、省級產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟等優(yōu)勢平臺。

 

作為國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（山西）共建單位，中科潞安牽頭負責深紫外LED分中心建設，圍繞“一個中心”、“五大任務”、“六大機制”，聚焦紫外LED前沿技術、共性關鍵技術、系統(tǒng)集成技術的協(xié)同創(chuàng)新，緊密對接企業(yè)和產(chǎn)業(yè)的需求，致力于核心芯片與器件、高端制備工藝、源頭技術創(chuàng)新、實驗室成果中試、應用技術開發(fā)升級，全方位、多元化推動技術創(chuàng)新服務和系統(tǒng)化解決方案，支撐和推動我國第三代半導體深紫外LED產(chǎn)業(yè)重點突破和整體提升。