碳化硅（4H-SiC）材料禁帶寬度器大、本征載流子濃度低、抗輻射能力強(qiáng)，可用于制備對(duì)可見光完全沒(méi)有響應(yīng)的可見光盲紫外光電探測(cè)器。本項(xiàng)目組獨(dú)立研制、生產(chǎn)的低噪聲4H-SiC PIN光電二極管，具有檢測(cè)靈敏度高、噪聲低、使用方便等優(yōu)點(diǎn)，光譜響應(yīng)范圍約200-400nm，對(duì)可見光完全無(wú)響應(yīng)，峰值響應(yīng)度約0.13A/W@270nm，光敏面積包括200×00μm2、400×400μm2、1*1mm2、2*2mm2等多種規(guī)格，封裝有表面封裝（SMT 3528）、TO46和TO5等，可廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室光譜測(cè)量、紫外線消毒燈輻射強(qiáng)度監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)紫外線強(qiáng)度指數(shù)測(cè)量、紫外輻射強(qiáng)度測(cè)量等。
Figure 1 4H-SiC PIN光電二極管的光電響應(yīng)曲線
技術(shù)成熟度
已小批量生產(chǎn)，已開發(fā)出太陽(yáng)紫外線強(qiáng)度指數(shù)監(jiān)測(cè)儀、紫外光電檢測(cè)前置放大器、可見光-紫外雙通道照度計(jì)、紫外線消毒燈輻射強(qiáng)度監(jiān)測(cè)儀等產(chǎn)品，項(xiàng)目組可提供不同應(yīng)用的完整解決方案，包括硬件設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)、響應(yīng)度標(biāo)定等。
應(yīng)用范圍
實(shí)驗(yàn)室光譜測(cè)量、紫外線消毒燈輻射強(qiáng)度監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)紫外線強(qiáng)度指數(shù)測(cè)量、紫外輻射強(qiáng)度測(cè)量等。
團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人
張峰，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院特聘教授，主要研究領(lǐng)域：1.寬禁帶半導(dǎo)體SiC基MOSFET、IGBT等功率器件研究；2.寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器研究；3. 寬禁帶半導(dǎo)體深能級(jí)缺陷與少子壽命研究。
