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新潔能擬增資8000萬(wàn)元控股國(guó)硅,構(gòu)建集成電路領(lǐng)域發(fā)力平臺(tái)

日期:2022-06-28 閱讀:380
核心提示:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉,6月28日,新潔能發(fā)布公告稱(chēng),公司擬以自有資金8,000萬(wàn)元人民幣對(duì)國(guó)硅進(jìn)行增資并實(shí)現(xiàn)控股,構(gòu)建集成電路領(lǐng)域發(fā)力平臺(tái)。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉,6月28日,新潔能發(fā)布公告稱(chēng),公司擬以自有資金8,000萬(wàn)元人民幣對(duì)國(guó)硅進(jìn)行增資并實(shí)現(xiàn)控股,構(gòu)建集成電路領(lǐng)域發(fā)力平臺(tái)。
 

據(jù)了解,國(guó)硅集成電路技術(shù)(無(wú)錫)有限公司是一家專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)智能功率集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司,擁有完整的自主研發(fā)體系并掌握多項(xiàng)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的關(guān)鍵核心技術(shù),國(guó)內(nèi)首創(chuàng)四端口單片集成高壓自舉、自適應(yīng)高壓側(cè)窄脈沖傳輸、增強(qiáng)型快速電平移位、互導(dǎo)型電容隔離信號(hào)傳輸、超高精度的片上集成雙向過(guò)流保護(hù)等多項(xiàng)功率IC芯片核心技術(shù),已形成系列智能功率集成電路芯片,包括:柵極驅(qū)動(dòng)控制IC芯片(含IGBT、硅基MOSFET及三代半導(dǎo)體等開(kāi)關(guān)器件的柵極驅(qū)動(dòng)芯片)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC芯片(含半橋、H橋、三相橋);智能功率IC開(kāi)關(guān)(SmartMOS)和功率驅(qū)動(dòng)控制IC芯片及模塊(DrMOS、IPM等)系列產(chǎn)品在積極研發(fā)中。產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)已涵蓋汽車(chē)電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)控制等領(lǐng)域。目前,國(guó)硅的智能功率集成電路芯片已經(jīng)在光伏逆變、光伏儲(chǔ)能、汽車(chē)電子和工業(yè)控制等市場(chǎng)成功上量。
 
新潔能表示,公司本次對(duì)國(guó)硅進(jìn)行增資并實(shí)現(xiàn)控股,構(gòu)建了集成電路領(lǐng)域發(fā)力平臺(tái),不僅新增了IC系列產(chǎn)品本身,還能與公司既有IGBT、SiC MOSFET、GaNHEMT、SGT MOSFET、超結(jié)MOSFET等芯片集成創(chuàng)新,形成智能功率集成產(chǎn)品。在保持公司既有產(chǎn)品技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新、領(lǐng)先的同時(shí),又拓展了智能化、集成化的產(chǎn)品系列,提高了公司產(chǎn)品的整體領(lǐng)先性與綜合技術(shù)門(mén)檻,增強(qiáng)了公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步滿足高端客戶的創(chuàng)新需求,為終端客戶提供包含IGBT、SiC MOSFET、GaNHEMT、SGTMOSFET、超結(jié)MOSFET、智能功率IC芯片、智能功率模塊等功率半導(dǎo)體芯片的整體解決方案,向打造國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體第一品牌的目標(biāo)又前進(jìn)了一大步。
 
據(jù)悉,新潔能主要為Fabless模式,產(chǎn)品的生產(chǎn)主要通過(guò)外部供應(yīng)鏈以及全資子公司進(jìn)行,生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)一直穩(wěn)定。疫情管控期間物流效率略有影響,目前已經(jīng)恢復(fù)正常。 
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