半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成步文研究團(tuán)隊(duì)研制出工作在中紅外波段的硅基鍺錫探測(cè)器。這是該團(tuán)隊(duì)在鍺錫材料外延生長(zhǎng)取得進(jìn)展后，在鍺錫光電器件方面取得的又一重要成果。

 

中紅外光子學(xué)在生物傳感、自由空間通信和氣體檢測(cè)等領(lǐng)域頗具應(yīng)用前景。隨著中紅外應(yīng)用場(chǎng)景不斷拓展，高集成度、高可靠性、低成本和小尺寸是中紅外光子學(xué)發(fā)展的趨勢(shì)。硅基中紅外光電集成技術(shù)利用先進(jìn)成熟的CMOS工藝，將微電子和光電子集成在硅芯片上，可滿足中紅外光子學(xué)發(fā)展的需求。

 

鍺錫是Ⅳ族硅基半導(dǎo)體材料，通過(guò)調(diào)節(jié)合金的組分配比，其光學(xué)帶隙可延伸至中波紅外，是制備硅基中紅外光電子器件的理想材料。然而，硅基襯底上外延鍺錫薄膜存在晶格失配和錫易分凝等難題，高質(zhì)量高錫組分鍺錫外延難度頗高。

 

團(tuán)隊(duì)成員副研究員鄭軍聚焦鍺錫光電子材料與器件研究工作，探究高錫組分鍺錫材料生長(zhǎng)機(jī)理和器件物理，解決了高錫組分鍺錫的應(yīng)變馳豫和錫分凝難題，制備出3dB帶寬3GHz，探測(cè)截止波長(zhǎng)3.3微米的高速硅基鍺錫探測(cè)器。