2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會，第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國際博覽中心召開。

國際第三代半導體論壇（IFWS）是由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）在中國地區(qū)舉辦的、具備較強影響力的第三代半導體領域年度盛會，是引領全球第三代半導體新興產業(yè)發(fā)展，促進相關產業(yè)、技術、人才、資金、政策合力發(fā)展的全球性、全產業(yè)鏈合作的高端平臺和高層次綜合性論壇。

中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）伴著中國半導體照明產業(yè)的發(fā)展一路成長起來，已成為半導體照明領域最具規(guī)模，參與度最高、口碑最好的全球性高層次論壇。十幾年的時間里，論壇盡最大力量打造國際性舞臺，邀請全球頂級專家，傳遞最前沿的產業(yè)、技術發(fā)展信息。

本次兩大論壇移師蘇州召開，一邊是不斷發(fā)展壯大的區(qū)域產業(yè)實力派，一邊是行業(yè)發(fā)展風向標。2022年兩者強強聯(lián)手將碰撞出怎樣的火花，非常令人期待。氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機車、工業(yè)電機等領域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

據(jù)組委會透露，本屆論壇的“氮化鎵功率電子材料與器件”技術分會，由電子科技大學教授張波、加拿大多倫多大學教授吳偉東、中山大學教授劉揚、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢、西安電子科技大學副校長、教授張進成、珠海鎵未來科技有限公司總裁吳毅鋒。潤新微電子(大連)有限公司總經理梁輝南、北京大學信息科學技術學院副教授王茂俊等國內外代表專家共同召集，并將有來自美國弗吉尼亞理工大學、加拿大滑鐵盧大學、瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院、南方科技大學、英諾賽科等國內外科研院所與代表企業(yè)的專家們將帶來一大波精彩報告，分享氮化鎵功率器件技術領域的最新進展。

據(jù)了解，美國弗吉尼亞理工大學助理教授張宇昊將分享“中高壓（1-10 kV）氮化鎵功率器件新進展”，加拿大滑鐵盧大學副教授Lan Wei帶來MVSG_CMC GaN HEMT緊模型的最新進展，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院副教授Elison MATIOLI將分享高效集成GaN功率器件的新技術，中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員胡衛(wèi)國將帶來關于AlGaN/GaN HEMT能帶工程與界面調制的研究進展，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授化夢媛將分享p型柵GaN基功率器件柵極可靠性及閾值穩(wěn)定性研究成果。西安電子科技大學周紅將分享一種新型側向AlGaN/GaN肖特基勢壘二極管，其結合浮動金屬環(huán)和P保護環(huán)將實現(xiàn)高擊穿電壓。

欲知最新研究進展與成果，敬請關注分會，也歡迎相關領域專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流，共商合作事宜。

部分嘉賓簡介

吳偉東，“氮化鎵功率電子器件”技術分會召集人，加拿大多倫多大學電子與計算機工程系教授。其研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝，他尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發(fā)。1993年，吳教授加入多倫多大學，組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊，他擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發(fā)與改進的豐富閱歷。并自2009年起擔任IEEE電子器件快報的副主編。

劉揚,“氮化鎵功率電子器件”技術分會召集人，中山大學電力電子及控制技術研究所所長、教授。長期從事III族氮化物功率半導體材料與器件研究及產業(yè)化推廣工作。曾在大尺寸Si襯底GaN異質結構功率半導體材料與增強型器件制備方面取得重要的進展。主持國家重點研發(fā)計劃課題項目、國家自然科學基金重點項目、廣東省重大科技專項等多項項目。

孫錢，“氮化鎵功率電子器件”技術分會召集人，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員，中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所器件部副主任。中國科技大學材料物理和計算機科學與技術雙學士（郭沫若校長獎獲得者）、美國耶魯大學博士（耶魯工學院Becton獎獲得者），國家技術發(fā)明一等獎獲得者。長期致力于硅基III族氮化物半導體材料生長與光電子及功率電子器件制備研究。通過與企業(yè)的產學研實質性合作，帶領團隊研發(fā)出硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片技術，并在全球率先產業(yè)化。2016年成功研制出國際上首支硅襯底GaN基激光器，入選中國光學重要成果和科技部高新技術領域創(chuàng)新進展報告。近5年來主持承擔了國家重點研發(fā)計劃課題、863計劃課題、中科院前沿科學重點研究項目、中科院科技服務網(wǎng)絡STS計劃區(qū)域重點項目、江蘇省重點研發(fā)計劃項目等。迄今為止，在Nature Photonics、Light: Science & Applications等國際學術期刊上發(fā)表了100余篇學術論文，是30余項美國和中國發(fā)明專利的發(fā)明人

張進成，“氮化鎵功率電子器件”技術分會召集人，西安電子科技大學副校長、教授。寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件，是我國乃至國際上最早開展寬禁帶（第三代）半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。獲得國家技術發(fā)明二等獎2項（排名第一和第二），省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。

張宇昊，美國弗吉尼亞理工大學電力電子研究中心(Center for Power Electronics Systems, CPES)助理教授，并領導該中心的器件和功率半導體研究。該中心由Fred Lee創(chuàng)立，現(xiàn)得到超過80家公司的資助，擁有電力電子領域基于高校的最大的產業(yè)聯(lián)盟之一。張宇昊研究興趣包括功率器件、寬禁帶和超寬禁帶半導體材料、器件封裝、以及電力電子應用。張宇昊已發(fā)表文章90余篇，涵蓋多個領域（IEDM, EDL, APL, T-PEL, JESTPE, APEC, IRPS, Nature等），并有4個已經授權的美國專利。并獲得2017年麻省理工學院Microsystems Technology Laboratories最佳博士論文獎、2019年IEEE George Smith Award (IEEE EDL年度最佳論文獎)、2020年IEDM Conference Highlight榮譽、2021年美國National Science Foundation CAREER獎、2021年弗吉尼亞理工優(yōu)秀助理教授獎。其博士生獲得2021 APEC最佳報告獎、2021 IEEE Power Electronics Society最佳博士論文獎等獎項。

Lan WEI ,加拿大滑鐵盧大學副教授，Lan WEI 教授曾在加利福尼亞州的Altera Corporation（現(xiàn)為Intel Corporation的一部分）擔任技術人員，并在麻省理工學院的Microsystems Technology Laboratories擔任博士后助理。她在基于器件物理的緊湊建模方面擁有豐富的經驗，包括為碳納米管晶體管開發(fā)緊湊模型，為硅MOSFET和氮化鎵（GaN）晶體管開發(fā)MIT虛擬源晶體管緊湊模型。她是行業(yè)標準GaN HEMT模型（MVSG_CMC）的聯(lián)合開發(fā)者，該模型由Compact model Coalition和主要主流設計工具（如Keysight的PathWave產品、Cadence的Spectre®、Synopsys的HSPICE®和Silvaco的SmartSpice）批準和支持™). 其研究興趣還包括器件電路交互設計和優(yōu)化、集成低維材料的納米電子系統(tǒng)、用于量子計算的低溫CMOS器件建模和電路設計，以及用于高級無線通信和電力電子應用的GaN技術。

胡衛(wèi)國，中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員，曾任日本三重大學(Mie Univ.)、神戶大學(Kobe Univ.)、東北大學(Tohoku Univ.)博士后和助理教授。目前研究方向為半導體材料外延、壓電(光)電子器件研制和模擬、以及新能源器件。迄今為止在Science advances、Advanced Materials、ACS Nan、Nano Energy等學術期刊發(fā)表論文50余篇，在IEDM等40多個學術會議上報告研究成果。

化夢媛，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授，致力于寬禁帶半導體器件與IC研究，在高端制造工藝、測試表征技術、器件結構設計、可靠性等方面做出一系列原創(chuàng)性和系統(tǒng)性的工作。共發(fā)表國際高水平期刊與會議論文90余篇，引用超2000次。成果包括國際電子器件領域的頂級峰會IEEE IEDM論文7篇，電力電子領域旗艦會議IEEE ISPSD論文11篇，器件領域頂級期刊IEEE Electron Device Lett. 15篇，IEEE Trans. Electron Devices 8篇，為國際會議做邀請報告10余次，申請發(fā)明專利6項；成果多次選入熱點論文，被產業(yè)界權威雜志專題報道；獲2020年IEEE ICSICT杰出青年科技論文獎；獲2017年IEEE ISPSD最佳青年學者獎（年度唯一獲獎人）；現(xiàn)任國際高水平期刊IEEE Trans. Electron Devices編輯。

更多論壇信息

會議時間：2022年11月7日-10日

會議地點：中國 - 蘇州 - 蘇州國際博覽中心G館

日程安排

注冊權益收費表

備注：＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

＊學生參會需提交相關證件。

＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關會議包括：開幕大會、碳化硅襯底材料生長與加工、射頻電子材料與器件、碳化硅功率電子材料與器件、氮化物襯底材料生長與同質外延、超寬禁帶半導體材料與器件、固態(tài)紫外材料與器件、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、閉幕大會。

＊SSLCHINA相關會議包括：開幕大會、固態(tài)紫外材料與器件、半導體照明材料與封裝模組、Mini/Micro LED及其他新型顯示技術、生物農業(yè)光照技術、半導體激光器與光通信、教育照明與健康光環(huán)境、光醫(yī)療與健康、閉幕大會。

*產業(yè)峰會包括：生物農業(yè)光照技術與產業(yè)應用峰會、生物農業(yè)光照技術與產業(yè)應用峰會、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、UV LED創(chuàng)新應用、Mini/Micro-LED技術產業(yè)應用峰會。

＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除一定的退款手續(xù)費。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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