由東南大學牽頭起草的技術報告T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》已完成征求意見稿的編制，技術報告征求意見稿按照CASAS技術報告制定程序，反復斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會。根據(jù)聯(lián)盟標準化工作管理辦法，2022年9月19日起開始征求意見，截止日期2022年10月20日。

T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》梳理了GaN HEMT動態(tài)電阻上升的產(chǎn)生機理，分析了相關影響因素；匯總了動態(tài)電阻測試電路；希望通過本報告的編寫，器件制造商和器件應用工程師可對動態(tài)電阻的機理及測試有更加深入的了解，并能在此基礎上結合產(chǎn)業(yè)應用進展進一步討論，發(fā)掘出更多更詳盡、完善的技術解決方案，形成更多的產(chǎn)業(yè)共識，從而幫助正確評估動態(tài)電阻引起的系統(tǒng)性和可靠性問題。

“智能功率集成芯片與系統(tǒng)”創(chuàng)新團隊來自東南大學國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術研究中心，團隊負責人為東南大學首席教授孫偉鋒教授，團隊由教師9名，博士后2名、博士生及碩士生若干名組成。團隊專注于功率半導體技術研究，主要包括：功率半導體器件設計、功率集成工藝開發(fā)、功率半導體器件模型開發(fā)、高壓電路設計、相關功率可靠性研究、功率開關電源、開關磁阻電機驅動器，此外在工業(yè)控制等綜合應用系統(tǒng)方面也進行了相關產(chǎn)品的研發(fā)工作。團隊研究成果獲國家技術發(fā)明二等獎、教育部技術發(fā)明一等獎、江蘇省科學技術進步一等獎等省部級獎項，發(fā)表IEEE期刊論文，ISPSD和ISSCC會議論文等共計200余篇，獲國內(nèi)外發(fā)明專利100多項。

主要起草單位  

東南大學、浙江大學、南方科技大學、西安電子科技大學、大連理工大學、英諾賽科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大學、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、無錫芯朋微電子股份有限公司、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司……

主要起草人  

李勝、董澤政、汪青、李祥東、黃火林、銀杉、劉雯、賀致遠、王欽、宋亮……

（來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術戰(zhàn)略聯(lián)盟）