2022年11月7-10日， 一年一度行業(yè)盛會(huì)，第八屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2022）&第十九屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2022）將于蘇州國(guó)際博覽中心召開。其中，射頻電子材料與器件技術(shù)分會(huì)作為重要分論壇，目前已經(jīng)確認(rèn)最新報(bào)告嘉賓正式出爐！

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。GaN 已成為射頻功率應(yīng)用中 LDMOS 和 GaAs 的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，其性能和可靠性不斷提高且成本不斷降低。

據(jù)組委會(huì)透露，作為IFWS 2022的重要分會(huì)之一，射頻電子材料與器件分會(huì)主題涵蓋氮化鎵微波器件及其芯片設(shè)計(jì)及在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面。分會(huì)由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所首席科學(xué)家陳堂勝，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所所長(zhǎng)蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長(zhǎng)、研究員張韻，日本德島大學(xué)教授、江南大學(xué)教授敖金平，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授于洪宇，中電科第十三所首席科學(xué)家、專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任馮志紅，中興通訊股份有限公司無(wú)線射頻總工劉建利等業(yè)內(nèi)知名專家共同召集。

目前分會(huì)已經(jīng)確認(rèn)有來(lái)自：澳大利亞麥考瑞大學(xué)、日本京都大學(xué)、南京國(guó)博電子股份有限公司、南京理工大學(xué)、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、中國(guó)電科十三所、山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院、中興通訊、北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司、西安電子科技大學(xué)等科研院校與代表企業(yè)的知名企業(yè)專家代表共同參與，將圍繞射頻電子材料與器件技術(shù)分享主題報(bào)告。

目前確認(rèn)報(bào)告嘉賓如下：(仍有部分嘉賓報(bào)告正在確認(rèn)中)：

·Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model

Sourabh Khandelwal--澳大利亞麥考瑞大學(xué)

·TBD

Naoki Shinohara--日本京都大學(xué)教授

·5G移動(dòng)通信用化合物器件研究

錢峰--南京國(guó)博電子股份有限公司副總經(jīng)理

·28GHz氮化鎵基時(shí)間調(diào)制波束成形系統(tǒng)

黃同德--南京理工大學(xué)副教授

·氮化鎵推動(dòng)5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新

裴軼--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁

·TBD

蔡小龍--中興通訊高級(jí)技術(shù)預(yù)研工程師

·電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs

崔鵬--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員

·47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設(shè)計(jì)

杜鵬搏——中國(guó)電科十三所正高級(jí)工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理

·國(guó)產(chǎn)突破，中國(guó)射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時(shí)代

黃鑫——北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁

·基于雙通道AlGaN/GaN FinFET結(jié)構(gòu)的高線性射頻器件研究

李昂——西安電子科技大學(xué)

部分嘉賓簡(jiǎn)介

Naoki Shinohara，日本京都大學(xué)教授。他于1996年獲得了日本京都大學(xué)博士學(xué)位，并先后在京都大學(xué)的空間射頻研究中心和人類生存圈研究所從事太陽(yáng)能衛(wèi)星和無(wú)線能量傳輸?shù)确较虻难芯?，研究領(lǐng)域包括無(wú)線電力傳輸、微波電力傳輸和太陽(yáng)能電力衛(wèi)星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等協(xié)會(huì)會(huì)員，并作為IEEE杰出演講人在世界多個(gè)知名高校展開以"無(wú)線能量傳輸"為主題的講座。

錢峰，南京國(guó)博電子股份有限公司副總經(jīng)理。研究員級(jí)高級(jí)工程師。1993年6月至2001年12月,歷任中國(guó)電科五十五所一部二室助理工程師、工程師;2001年12月至2006年6月,歷任中國(guó)電科五十五所一中心高級(jí)工程師、研究員級(jí)高級(jí)工程師;2006年6月至2011年3月,歷任中國(guó)電科五十五所集成電路設(shè)計(jì)部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任國(guó)博有限副總經(jīng)理;2012年2月至2015年3月,任中國(guó)電科五十五所單片電路設(shè)計(jì)部主任;2015年3月至2018年9月,任中國(guó)電科五十五所副總工程師;2018年9月至2020年12月,任國(guó)博有限副總經(jīng)理;2020年12月至今,任南京國(guó)博電子股份有限公司副總經(jīng)理。 

裴軼  蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司副總裁。2004年北京大學(xué)本科畢業(yè)，2009年獲加州大學(xué)圣巴巴拉分校博士學(xué)位。現(xiàn)任蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼技術(shù)副總裁，正高級(jí)工程師。國(guó)家萬(wàn)人計(jì)劃-科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心第一屆技術(shù)專家委員會(huì)委員，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)委員。IEEE高級(jí)會(huì)員，中國(guó)電子學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員，中國(guó)電源學(xué)會(huì)元器件專業(yè)委員會(huì)委員，蘇州大學(xué)產(chǎn)業(yè)教授。研究興趣包含氮化鎵微波和毫米波器件、氮化鎵功率器件及應(yīng)用、氮化鎵材料、工藝、可靠性和非線性模型等。發(fā)表和共同發(fā)表了100余篇期刊和會(huì)議論文，累計(jì)申請(qǐng)專利150余項(xiàng)。

崔鵬，山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院 研究員。2018年6月獲山東大學(xué)微電子學(xué)院博士學(xué)位。2018年7月至2021年7月在美國(guó)University of Delaware電子與計(jì)算機(jī)工程系從事博士后研究。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體器件制備與研究，在低功耗器件、射頻器件、功率放大器線性度等方面取得了一些較有影響力的國(guó)際指標(biāo)性成果：首次在氮化鎵（GaN）高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（無(wú)柵介質(zhì)層）上實(shí)現(xiàn)亞閾值擺幅低于理論極限，其亞閾值擺幅可達(dá)到30 mV/dec, 為目前報(bào)道的無(wú)柵介質(zhì)的GaN HEMT最低值，促進(jìn)了GaN開關(guān)器件的功耗降低和尺寸縮?。恢苽涑鰢?guó)際最高功率截止頻率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止頻率可達(dá)到270 GHz；研發(fā)的硅基InAlN/GaN高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管以國(guó)際最高的柵長(zhǎng)頻率乘積值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分別報(bào)道；首次確立極化庫(kù)侖場(chǎng)散射與GaN HEMT器件線性度的關(guān)聯(lián)關(guān)系，建立器件層級(jí)提高GaN功率放大器線性度的可行性方案。迄今為止,在本領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等發(fā)表論文50余篇，其中第一作者SCI論文20篇，申請(qǐng)/授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利5項(xiàng)。

黃同德，南京理工大學(xué)副教授。研究方向包括化合物微波集成電路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成電路芯片；微波器件物理與仿真模型建立。包括功率放大器，混頻器，低噪聲放大器，本振信號(hào)源等,應(yīng)用目標(biāo)為雷達(dá)制導(dǎo)探測(cè)，5G毫米波通信等前端系統(tǒng)；有源無(wú)源高頻器件建模，服務(wù)于芯片設(shè)計(jì)與系統(tǒng)優(yōu)化。主持及參與科研項(xiàng)目包括江蘇省科技廳重點(diǎn)項(xiàng)目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”；國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目“新型高性能納秒級(jí)恢復(fù)時(shí)間氮化鎵低噪聲放大器研究”；留學(xué)人員科技創(chuàng)新項(xiàng)目擇優(yōu)資助(B類)，“毫米波氮化鎵集成收發(fā)前端芯片研發(fā)”等。目前已發(fā)表SCI和EI學(xué)術(shù)論文26余篇，其中以第一作者身份在相關(guān)領(lǐng)域國(guó)際頂級(jí)期刊IEEE Trans.和Letters上發(fā)表論文10篇，五年內(nèi)論文被引用273次，單篇最高他引次數(shù)為52次，所發(fā)表成果兩次被國(guó)際權(quán)威半導(dǎo)體期刊《Semiconductor Today》專題重點(diǎn)報(bào)道.

Sourabh Khandelwal，澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授，Khandelwal博士在麥格理大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)一個(gè)充滿活力的研究小組，專注于半導(dǎo)體器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ASM-HEMT模型的主要作者。他撰寫了150多篇論文，并出版了3本關(guān)于GaN、FDSOI和FinFET技術(shù)的書籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大學(xué)伯克利分校的BSIM小組和IBM半導(dǎo)體研究中心工作。

蔡小龍，中興通訊高級(jí)技術(shù)預(yù)研工程師

杜鵬搏，中國(guó)電科十三所正高級(jí)工程師、河北新華北集成電路有限公司副總經(jīng)理，中國(guó)電科十三所MMIC芯片領(lǐng)域?qū)＜?，河北省青年拔尖人才。主要從事微?毫米波集成電路設(shè)計(jì)、測(cè)試及可靠性研究。多項(xiàng)研究成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，先后承擔(dān)國(guó)家重大項(xiàng)目10余項(xiàng)，發(fā)表相關(guān)論文10多篇，申請(qǐng)專利7項(xiàng)。獲得中國(guó)電科科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)2項(xiàng)、三等獎(jiǎng)2項(xiàng)，國(guó)防科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)2項(xiàng)、三等獎(jiǎng)1項(xiàng)。

黃鑫，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司副總裁。西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)碩士，十五年4G/5G/IoT無(wú)線通信芯片研發(fā)、規(guī)劃、推廣經(jīng)驗(yàn)?，F(xiàn)任昂瑞微副總裁，負(fù)責(zé)整個(gè)公司的戰(zhàn)略發(fā)展，產(chǎn)品定位和公共關(guān)系等。主導(dǎo)定義了十余款4G/5G射頻前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射頻前端模組?？蛻舭s耀、小米、三星、中興、摩托羅拉、諾基亞等國(guó)內(nèi)外知名品牌。用于5G手機(jī)終端的射頻前端芯片，已在國(guó)內(nèi)一線手機(jī)廠商實(shí)現(xiàn)超七千萬(wàn)顆的規(guī)模出貨。

更多論壇信息：

會(huì)議時(shí)間：2022年11月7日-10日

會(huì)議地點(diǎn)：中國(guó) - 蘇州 - 蘇州國(guó)際博覽中心G館

日程安排

注冊(cè)權(quán)益收費(fèi)表

備注：＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。

＊學(xué)生參會(huì)需提交相關(guān)證件。

＊會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)報(bào)到注冊(cè)不享受各種優(yōu)惠政策。

＊IFWS相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，碳化硅襯底材料生長(zhǎng)與加工,碳化硅功率電子材料與器件,氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù),氮化鎵功率電子材料與器件,固態(tài)紫外材料與器件,化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù),射頻電子材料與器件,超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件，閉幕大會(huì)。

＊SSLCHINA相關(guān)會(huì)議包括：開幕大會(huì)，氮化物襯底材料生長(zhǎng)與外延技術(shù)，固態(tài)紫外材料與器件，LED芯片、封裝與光通信，Mini/Micro LED及其他新型顯示技術(shù)，生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)，教育照明與健康光環(huán)境，光醫(yī)療應(yīng)用技術(shù)，化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù),閉幕大會(huì)。

*產(chǎn)業(yè)峰會(huì)包括：柔性顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)高峰論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會(huì)、功率模塊與電源應(yīng)用峰會(huì)、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)、UV LED創(chuàng)新應(yīng)用、Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用峰會(huì)、智慧照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用峰會(huì)。

＊若由于某些原因，您繳費(fèi)后無(wú)法參會(huì)，可辦理退款事宜，組委會(huì)將扣除一定的退款手續(xù)費(fèi)。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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