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中國科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進(jìn)展

日期:2022-10-24 閱讀:247
核心提示:近日,中國科大楊金龍教授課題組胡偉團(tuán)隊(duì)在二維鐵電Rashba材料領(lǐng)域取得進(jìn)展,研究成果以題為High-Throughput Inverse Design for

近日,中國科大楊金龍教授課題組胡偉團(tuán)隊(duì)在二維鐵電Rashba材料領(lǐng)域取得進(jìn)展,研究成果以題為“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashbasemiconductors”發(fā)表在Journal of the American Chemical Society上。

自旋電子研究的一個(gè)重要領(lǐng)域是使用晶體管中的電子自旋來傳輸和處理信息。迄今為止,在自旋邏輯、磁控自旋電子學(xué)和半導(dǎo)體自旋電子學(xué)領(lǐng)域,科學(xué)家們已經(jīng)做出了許多努力來操縱編碼在自旋中的信息。在Datta和Das提出的自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開創(chuàng)性想法30多年后,許多實(shí)際限制仍然阻礙了晶體管的實(shí)施。由于磁性半導(dǎo)體需要低溫操作和外部磁場(chǎng)來控制自旋分布,希望找到非磁性半導(dǎo)體來操縱自旋電子器件中的自旋,而無需磁場(chǎng)和鐵磁材料的幫助。在這種情況下,一類新型的鐵電Rashba半導(dǎo)體值得進(jìn)一步探索,因?yàn)榭梢酝ㄟ^非易失性電控制的鐵電極化反轉(zhuǎn)來逆轉(zhuǎn)它們的自旋分布。

 

 

圖1 Rashba效應(yīng)和鐵電性在二維材料中設(shè)計(jì)原則。

楊金龍教授課題組胡偉團(tuán)隊(duì)采用了逆向設(shè)計(jì)搜索了同時(shí)具有Rashba效應(yīng)和鐵電性的二維非磁性半導(dǎo)體。首先,課題組定義了Rashba效應(yīng)、鐵電性和共功能性的設(shè)計(jì)原則,并針對(duì)實(shí)際應(yīng)用優(yōu)化了設(shè)計(jì)原則。導(dǎo)致Rashba效應(yīng)和鐵電性能夠存在的必要共同設(shè)計(jì)原則包括非中心對(duì)稱極性空間群和非零平面外偶極子。導(dǎo)致Rashba效應(yīng)能夠存在的獨(dú)特必要設(shè)計(jì)原則是時(shí)間反演對(duì)稱性和非零自旋軌道耦合效應(yīng),而鐵電性的獨(dú)特必要設(shè)計(jì)原則是兩個(gè)具有相反鐵電極化的簡(jiǎn)并基態(tài)和具有非極性空間群的非極性過渡態(tài)。

此外,優(yōu)化設(shè)計(jì)原則包括價(jià)帶頂或?qū)У字械募僐ashba效應(yīng)、用于器件小型化的薄材料、可克服的鐵電能量勢(shì)壘。根據(jù)必要設(shè)計(jì)原則在二維材料數(shù)據(jù)庫中進(jìn)行篩選后,課題組發(fā)現(xiàn)了30 個(gè)鐵電 Rashba單層材料、兩個(gè)純鐵電單層材料和97個(gè)純 Rashba單層材料。鐵電Rashba半導(dǎo)體具有三種類型的結(jié)構(gòu),包括 A2 P 2 X 6型(空間群P 31 m)、ABP 2 X 6(空間群P 3 )和AB 型(空間群P 3 m 1)。

 

 

圖2 同時(shí)具有Rashba效應(yīng)和鐵電性的二維半導(dǎo)體材料的篩選流程。

然后,課題組進(jìn)行高通量密度泛函理論計(jì)算研究上述三種類型的結(jié)構(gòu)。15個(gè)A 2 P 2 X 6單層、11個(gè)ABP 2 X 6單層和47個(gè)AB單層在價(jià)帶頂或?qū)У字芯哂屑僐ashba效應(yīng)。由于AB型是2D 最薄的Rashba結(jié)構(gòu),我們進(jìn)一步研究AB單層,發(fā)現(xiàn)14個(gè)AB單層(AlBi、SiPb、TlP、GaSb、InSb、BBi、AlSb、GeSn、SiSn、GaAs、InAs、AlAs、InP 和 TlF ) 具有可克服的能量勢(shì)壘,這是有前途的鐵電Rashba半導(dǎo)體。特別是,二維AlBi單層具有最大的Rashba 常數(shù) (2.738 eV·Å) 和相對(duì)較小的鐵電勢(shì)壘 (0.233 eV)。對(duì)于2D 鐵電 Rashba 半導(dǎo)體,可以通過非易失性電控制切換鐵電極化來反轉(zhuǎn)自旋分布。因此,這個(gè)逆向設(shè)計(jì)的成果可以運(yùn)用到自旋電子和邏輯器件上,例如自旋場(chǎng)效應(yīng)管和雙極存儲(chǔ)器件。

 

 

圖3 AlBi單層材料的鐵電雙勢(shì)阱和電子結(jié)構(gòu)。

Rashba常數(shù)計(jì)算和自旋分布可視化腳本已經(jīng)集成到KSSOLV軟件中(Comput. Phys. Commun.2022, 279, 108424)。楊金龍教授課題組關(guān)于Rashba效應(yīng)的相關(guān)工作:Nano Lett.2020, 21, 740−746;J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 12256−12268;J. Phys. Chem. Lett.2021, 12, 1932−1939;RSC Adv.2020, 10, 6388−6394。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊金龍教授和胡偉研究員為共同通訊作者,化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院學(xué)生陳佳佳為第一作者。研究工作得到了基金委、科技部和中科院等項(xiàng)目的資助。

論文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/jacs.2c08827

(來源:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)校友會(huì))

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