近日，由西安交通大學王宏興教授團隊領銜的“德盟特半導體”創(chuàng)業(yè)團隊在單晶金剛石襯底技術產(chǎn)業(yè)化上取得了重大進展和突破。作為秦創(chuàng)原總窗口入駐企業(yè)，其在研的技術產(chǎn)品主要面向第四代半導體材料、器件及5G通訊等行業(yè)，對于提升我國半導體材料器件行業(yè)水平，促進新一代半導體技術代差更迭具有重要意義。

在半導體制備原理中，襯底是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，不同襯底材料可以生產(chǎn)包括單晶金剛石等在內的半導體芯片。而單晶金剛石被稱為“終極半導體”，與硅同為單質半導體，性能完全超越現(xiàn)有半導體，可以克服“擊穿場強不足”和“自熱效應”瓶頸。在超高電壓、超大電流、超大功率、高效、耐輻照和超高頻工作且無需冷卻的電子器件方面，單晶金剛石具有得天獨厚的優(yōu)勢。

作為國內長期從事單晶金剛石寬禁帶半導體材料及器件研究工作的專家，王宏興帶領團隊經(jīng)過長期科研攻關，獨立自主開發(fā)了系列具有自主知識產(chǎn)權的單晶金剛石微波等離子體化學氣相沉積設備，掌握了有關技術，并已全面完成了原理性創(chuàng)新、實驗室試驗研究和中試實驗，可批量化提供1-2英寸的大面積高質量單晶金剛石襯底，進而有效保證國內功率電子器件、導熱、雷達探測等領域對于高質量、大尺寸電子級單晶金剛石的需求，同時滿足院校科研對高質量晶種的需求。

在西安交通大學的支持下，王宏興項目團隊入駐秦創(chuàng)原創(chuàng)新驅動平臺總窗口，校方將該項目所涉及的設備、金剛石材料、器件外延等21項核心專利全部投入，通過秦創(chuàng)原平臺對接各類產(chǎn)業(yè)研資源，全力推進其產(chǎn)業(yè)化。此外，來自陜西地市產(chǎn)業(yè)創(chuàng)投基金的投資，也為加速實現(xiàn)科研成果落地提供了支持。