近日，氮化鎵初創(chuàng)公司氮矽科技完成數(shù)千萬A輪融資。本輪融資由前魅族聯(lián)合創(chuàng)始人白永祥領投，蘭璞資本和亞商資本跟投。本輪資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面，繼續(xù)加大研發(fā)投入以及拓寬應用市場，確保在2023年實現(xiàn)工業(yè)應用領域的突破，爭取在2024年實現(xiàn)汽車應用領域的突破。

氮矽科技成立于2019年，是國內(nèi)首批成立的專注于功率氮化鎵器件及其驅動器的設計和銷售的半導體公司，其研發(fā)運營中心設于成都，擁有博士6人，研發(fā)人員占比70%以上，在深圳設有子公司，主要負責市場營銷。據(jù)公司創(chuàng)始人羅鵬介紹，氮矽科技于2021年8月完成Pre-A輪融資，用于加強研發(fā)及部分產(chǎn)品銷售的備貨。研發(fā)方面，公司在2021年底發(fā)布了80V氮化鎵半橋驅動芯片，在2022年擴充了650V氮化鎵晶體管產(chǎn)品線的產(chǎn)品，完成了氮化鎵超高速（50-100MHz）驅動芯片的研發(fā)，并在2022年7月發(fā)布了使用先進的面板級封裝技術的集成驅動的氮化鎵芯片等。市場方面，氮矽科技的650V系列產(chǎn)品已廣泛應用于PD快充類產(chǎn)品，產(chǎn)品累計訂單已超過1,000,000顆；公司在適配器電源市場也實現(xiàn)從無到有的突破，同時公司積極布局數(shù)據(jù)中心電源，新能源汽車，光伏儲能等市場。

相比傳統(tǒng)硅基器件，氮化鎵器件具有超低導通電阻、超高頻、無反向導通損耗等特點，可以大大提升電源的效率及功率密度，自2019年OPPO發(fā)布全球首款氮化鎵快充充電器之后，650V系列的氮化鎵器件的出貨迎來爆發(fā)式增長，并快速占領大功率（>65W）PD快充頭市場。對比PD快充市場，氮化鎵在傳統(tǒng)電源適配器、工業(yè)、汽車等電源領域的進展卻很緩慢，主要的原因包括有產(chǎn)品封裝形式單一、應用設計難度大、研發(fā)周期長、配套IC價格高等。根據(jù)不同的應用市場和領域，氮矽科技推出不同系列的產(chǎn)品。針對充電頭市場的DFN系列產(chǎn)品，針對電源適配器市場的TO系列產(chǎn)品、以及針對高頻以及高可靠性應用場景的驅動與氮化鎵集成的PIIPTM系列產(chǎn)品。

相比于高壓650V氮化鎵在PD市場上的披荊斬棘，國內(nèi)低壓（≤200V）氮化鎵的市場依舊處于萌芽階段。低壓氮化鎵在D類放大器(Class-D)音箱、鋰電BMS、數(shù)據(jù)中心、無線充電、激光雷達等領域對比傳統(tǒng)硅器件無論在性能還是系統(tǒng)成本上都有著巨大的優(yōu)勢，而限制氮化鎵普及的痛點主要有驅動芯片匱乏、系統(tǒng)應用研發(fā)周期長、客戶驗證周期長等。氮矽科技針對此推出了三款驅動芯片：單通道氮化鎵驅動芯片、80V半橋氮化鎵驅動芯片以及適用于激光雷達的超高速氮化鎵驅動芯片，此三款驅動芯片填補了國內(nèi)在氮化鎵驅動芯片領域的空白。同時氮矽科技全力研發(fā)低壓氮化鎵器件配合氮化鎵驅動芯片搭建成氮化鎵模塊，氮化鎵模塊將大大簡化客戶端的應用搭建難度，縮短應用研發(fā)周期，同時可以有效的保護氮化鎵器件脆弱的柵極從而極大的提高系統(tǒng)的可靠性。

（來源：投資界）