氮化鎵功率器件于傳統(tǒng)器件相比，有著功率密度更高，耐壓高，效率高的顯著優(yōu)點(diǎn)。GaN整流二極管是功率整流器是功率管理系統(tǒng)中的重要組成部分，目前主要包括SBD和PIN功率二極管。在1999年，加工理工學(xué)院便做出了擊穿電壓為450V，正向?qū)▔航禐?.2V的GaN SBD功率整流器。2001年，弗羅里達(dá)州立大學(xué)便通過(guò)設(shè)置P型保護(hù)環(huán)和場(chǎng)版結(jié)構(gòu)將反向擊穿電壓做到了1000V。隨著不斷發(fā)展，器件的擊穿電壓在不斷提高，正向開(kāi)啟電壓在減小，應(yīng)用場(chǎng)景更廣闊能耗更小。

平面型P保護(hù)環(huán)和場(chǎng)板技術(shù)的功率整流器

GaN功率開(kāi)關(guān)器件：由于AlGaN /GaN HEMT具有工藝簡(jiǎn)單、技術(shù)成熟、正向?qū)ㄌ匦詢?yōu)良和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn) ,已是GaN功率開(kāi)關(guān)器件中最受關(guān)注的結(jié)構(gòu)。如何改善器件在高壓高流高速與低導(dǎo)通電阻低能耗之間的關(guān)系，是設(shè)計(jì)功率器件中需要重視的關(guān)鍵問(wèn)題。2003年，美國(guó)率先實(shí)現(xiàn)了具有900V擊穿電壓、最大漏極電流為700mA/mm多場(chǎng)板結(jié)構(gòu)的GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)。攻克耗盡型器件的難題之后，還需要繼續(xù)研究增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)。因?yàn)槌ｊP(guān)型結(jié)構(gòu)件才能夠確保功率電子系統(tǒng)的安全性、降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性等，是功率系統(tǒng)中的首選器件。

（來(lái)源：微納研究院）