11月29日，振華科技在投資者互動平臺上表示，公司現(xiàn)有芯片設(shè)計(jì)和制造水平滿足目前生產(chǎn)實(shí)際；下一步公司將采用定增的方式實(shí)施半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)能提升等多個項(xiàng)目，其中擬建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線。

日前，振華科技宣布擬募資不超過25.18億元用于建設(shè)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)能提升項(xiàng)目、混合集成電路柔性智能制造能力提升項(xiàng)目、新型阻容元件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、繼電器及控制組件數(shù)智化生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、開關(guān)及顯控組件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化能力建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金。

其中，半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)能提升項(xiàng)目總投資7.9億元，由振華永光實(shí)施，振華永光現(xiàn)有4英寸線已經(jīng)無法滿足產(chǎn)能需要，擬建設(shè)一條12萬片/年產(chǎn)能的6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線，主要生產(chǎn)6英寸功率半導(dǎo)體、陶瓷封裝功率半導(dǎo)體器件、金屬封裝功率半導(dǎo)體器件和塑料封裝功率半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品。

據(jù)悉，振華科技主業(yè)經(jīng)過持續(xù)的結(jié)構(gòu)調(diào)整、轉(zhuǎn)型升級，現(xiàn)已向核心業(yè)務(wù)新型電子元器件高度集中。IGBT及其模塊、船用真空開關(guān)管、微波芯片電容、宇航級熔斷器、大功率接觸器、氣密封微動開關(guān)和LTCC濾波器等高端產(chǎn)品取得實(shí)質(zhì)突破，進(jìn)一步豐富中高端產(chǎn)品技術(shù)內(nèi)涵；超級電容模塊、宇航級電容器、宇航級電阻器、溫補(bǔ)衰減器、MIS硅電容、插件功率電阻等一批新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)供貨。